تزعم تقارير جديدة من كوريا الجنوبية أن Samsung Foundry قد حققت تقدمًا رئيسيًا في الإنتاج الضخم لعملية 4nm FinFET، وتجاوز معدل العائد 80٪، مما يعني أن العملية دخلت رسميًا مرحلة نضج العملية. ويُنظر إلى هذه العقدة على أنها علامة فارقة مهمة بالنسبة لشركة سامسونج للحاق بشركة TSMC المنافسة في مجال عمليات التصنيع المتقدمة.
وأشار التقرير إلى أن قاعدة إنتاج سامسونج للإلكترونيات في حديقة بيونجتايك لا تنتج كميات كبيرة من رقائق 5 نانومتر و7 نانومتر فحسب، بل لديها أيضًا القدرة على توفير شرائح 4 نانومتر على نطاق واسع للعملاء في مسرعات الذكاء الاصطناعي وإلكترونيات السيارات والأجهزة المحمولة. سيساعد هذا التطور سامسونج على التنافس بشكل مباشر مع TSMC على الطلبات حيث يصل الطلب على رقائق التخزين والحوسبة عالية الأداء من عمالقة التكنولوجيا العالمية إلى مستويات عالية جديدة.
إن عملية 4 نانومتر الحالية لمسبك الرقاقات من سامسونج هي أيضًا عملية الشريحة الأساسية التي تستخدمها شريحة الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي HBM4 من الجيل السادس. في سيناريوهات مثل التدريب والاستدلال على الذكاء الاصطناعي، ومراكز البيانات، وبطاقات الرسومات المتطورة، يستمر الطلب على وحدات التخزين ذات النطاق الترددي العالي مثل HBM في الارتفاع، مما يزيد من القيمة الإستراتيجية لعملية 4 نانومتر المستقرة والناضجة لأعمال أشباه الموصلات الشاملة لشركة سامسونج.
على مدى السنوات الست الماضية، واصلت سامسونج تعزيز الإنتاج الضخم لشرائح 4 نانومتر على نطاق واسع. ويعتبر معدل العائد الحالي الذي يتجاوز 80% علامة على أن العملية قد دخلت مرحلة النضج، ومن المتوقع أن تخفف من تأثير الارتفاع الأخير في أسعار الذاكرة إلى حد ما. ويتوقع التقرير أنه مع تحسن إنتاج وشحنات خط إنتاج 4 نانومتر، من المتوقع أن تعكس سامسونج أداء أرباحها الذي تعرض لضغوط بسبب ارتفاع أسعار التخزين في النصف الثاني من هذا العام ودفع أعمال أشباه الموصلات إلى مسار مربح.