الملخص:
تسربت مؤخرًا توقعات المؤشر الفني لمنصة تكنولوجيا الذاكرة من الجيل التالي G6 التابعة لشركة تصنيع DRAM المحلية Changxin Technology.
توضح الخطة أن شركة Changxin ستواصل استخدام عملية الطباعة الحجرية DUV لإنتاج ذاكرة الجيل السادس، والتي من المتوقع أن يتم إطلاقها في أقرب وقت بحلول عام 2028. وسيتم تقليل مساحة وحدة الرقاقة بشكل أكبر من 0.00128205 ميكرون مربع في جيل G5 إلى 0.000896 ميكرون مربع، بانخفاض قدره 30%.
في غياب آلات الطباعة الحجرية بالأشعة فوق البنفسجية، تقترب شركة Changxin من الحدود المادية لهذه التكنولوجيا من خلال التحسين المتعمق لمجموعة عمليات DUV.
وفقًا لبيانات التوقعات الصادرة عن فني منصة X فريدريك تشين، سيتم تحقيق انكماش مساحة الوحدة لـ G6 من خلال الاستمرار في تحسين آلة الطباعة الحجرية المغمورة DUV مقاس 193 نانومتر، جنبًا إلى جنب مع تقنية الزخرفة الرباعية ذاتية المحاذاة (SAQP)، وستستخدم بعض المستويات عملية الزخرفة المزدوجة ذاتية المحاذاة (SADP).
من منظور مؤشرات عقدة العملية، سيتم تشديد تباعد WL (سطر الكلمة) لـ G6 من 33.3 نانومتر لـ G5 إلى 28 نانومتر، وسيتم تقليل تباعد BL (خط البت) من 38.5 نانومتر إلى 32 نانومتر، وسيتم تقليل تباعد AA (المنطقة النشطة) من 23.9 نانومتر إلى 20 نانومتر.
سيتم ترقية حل مقاومة الضوء في وقت واحد. ستتم ترقية طبقة القطع AA من 193i LE4 إلى 193i LE4 أو X-SADP، كما سيتم تقديم خيار X-SADP لطبقة اتصال خط البت.
يعد التقديم الأول لعملية الربط هو المتغير الفني الأكثر أهمية في خطة مجموعة الستة. في جدول التوقعات، تم وضع علامة على الطبقة M0 لـ G6 على أنها "193i LELE مرتبطة"، مما يعني أن Changxin تخطط لاستخدام الترابط الهجين على مستوى الرقاقة لفصل مصفوفة تخزين DRAM عن الدوائر المنطقية الطرفية ثم تكديس الوصلات البينية.
تتوافق هذه الفكرة إلى حد كبير مع التصميم الفني لشركة Changxin لبنية 4F². أوضح Cao Kanyu، رئيس شركة Changxin Technology، في المؤتمر الرابع للرقائق والرقائق المتكاملة أن أحد الإنجازات الأساسية لبنية 4F² هو فصل DRAM عن عمليات CMOS ومن ثم تحقيق اتصال بيني عالي السرعة من خلال الترابط الهجين على مستوى الرقاقة. تعد هذه نقطة تحول رئيسية لذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) من القياس ثنائي الأبعاد إلى التكامل ثلاثي الأبعاد. وتتوقع شركة Changxin إطلاق جيل جديد من منتجات DDR5 RDIMM التي تتضمن هذه التكنولوجيا بحلول نهاية هذا العام.
قد يكون G6 هو منتج الجيل الأخير من بنية شريحة الذاكرة 6F². تشير التوقعات إلى أن شركة Changxin قد وضعت تكنولوجيا الذاكرة ثلاثية الأبعاد مسبقًا، ويمكن أن تصل طبقات تكديس DRAM ثلاثية الأبعاد الخاصة بها إلى أكثر من 64 طبقة. ومن المتوقع أن تتحول منتجات جيل G7 التي تم إطلاقها بعد عام 2030 إلى بنية 4F² أو بنية ذاكرة ثلاثية الأبعاد.
التعليقات