الملخص:
أصدرت قناة CNBC مقالًا يوم الثلاثاء، ركزت فيه على الإنجازات التكنولوجية التي حققتها شركة Changxin Storage. وذكر المقال أن شركة Changxin Storage قد لا تكون مشهورة جدًا، لكن اختراقاتها التكنولوجية تسببت في انخفاض مخزون عمالقة التخزين العالميين بشكل جماعي.
تخزين تشانغكسين
قالت قناة CNBC إن شركة Changxin Memory هي المنافس الرئيسي لمصنعي شرائح الذاكرة العالمية. ومن بين عمالقة الصناعة الحاليين ميكرون وإس كيه هاينكس وسامسونج. لكن في نهاية الأسبوع الماضي، أعلنت شركة Changxin Storage أنها حققت تقدمًا في البحث والتطوير في بنيتها الجديدة. تتيح هذه البنية إمكانية تخزين المزيد من البيانات في مساحة أقل، وبالتالي زيادة كثافة التخزين.
ويوم الثلاثاء، انخفضت أسهم ميكرون بنسبة 3.62%. وأغلقت أسهم شركة SK Hynix، المدرجة في كوريا الجنوبية، منخفضة بنسبة 10%، وهبطت أسهم Samsung Electronics بنسبة 7.4%. كما انخفضت الأسهم الأخرى المرتبطة برقائق الذاكرة، بما في ذلك SanDisk وSeagate وWestern Digital.
اختراق تكنولوجي جديد
قالت CNBC أنه قبل الاكتتاب العام الأولي الذي حقق نجاحًا كبيرًا هذا الصيف، لم تكن شركة Changxin Storage معروفة على نطاق واسع خارج السوق الصينية. ولكن بعد إطلاقه في يوليو من هذا العام، سرعان ما اجتذب الاهتمام العالمي. وارتفع سعر سهم الشركة بنسبة 466% تقريبًا في اليوم الأول من إدراجها في مجلس شنغهاي للعلوم والابتكار التكنولوجي، وأصبحت ذات يوم الشركة ذات القيمة السوقية الأعلى بين الشركات الصينية المدرجة في ذلك الوقت. أشارت CNBC إلى أنه بعد طرح شركة Changxin Memory للاكتتاب العام، كانت إحدى أكثر القضايا المثيرة للقلق في السوق هي ما إذا كانت الشركة قادرة على تضييق الفجوة التكنولوجية مع Micron وSamsung وSK Hynix، خاصة في مجال الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي (HBM)، والتي تعد مكونًا رئيسيًا لأنظمة شرائح الذكاء الاصطناعي.
أغلقت أسهم Micron منخفضة بنسبة 3.62%
ومع ذلك، وفقًا لتقارير وسائل الإعلام المحلية، كشف Cao Kanyu، رئيس شركة Changxin Memory، عن تقدم جديد في تكنولوجيا DRAM في المؤتمر الرابع للرقائق والرقائق المتكاملة في 10 أكتوبر. وقدم Cao Kanyu بنية DRAM التي تسمى 4F² وقال إنه من المتوقع أن تطلق ذاكرة Changxin جيلًا جديدًا من منتجات DDR5 RDIMM باستخدام هذه التقنية بحلول نهاية العام.
قال Cao Kanyu أن هذه البنية قد أحدثت ابتكارات في ترانزستورات صفيف تخزين DRAM. تعتمد ترانزستورات VSG (البوابة المحاطة العمودية) بنية قناة محيطة رأسية لتحقيق تحكم أقوى في البوابة وحل نقاط الألم الناتجة عن التسرب وتأثيرات القناة القصيرة. تساعد الترانزستورات العمودية على تقليص المساحة وزيادة كثافة التخزين.
ذكرت CNBC أن التصميم المعماري الجديد يعتمد على تقنية "4F²" ويمكنه تحقيق كثافة تخزين أعلى. تعمل SK hynix أيضًا على تطوير تصميم 4F² وأعلنت عن خارطة طريق لتطوير هذه التقنية في عام 2025.
يعتقد المحللون بشكل عام أن شركة Changxin Storage تتخلف عن المنافسين العالميين في مجال البحث والتطوير لتكنولوجيا التخزين المتطورة. ولذلك فإن أي أخبار عن اختراقاتها التكنولوجية يمكن أن تؤثر بشكل كبير على تصورات المستثمرين حول المزايا السوقية التي يتمتع بها منافسوها العالميون.
نمو الحصة السوقية
على الرغم من تحديات ضوابط التصدير، حققت شركة Changxin Storage تقدمًا كبيرًا في السوق.
أظهر تقرير صادر عن بنك HSBC يوم الخميس الماضي أن حصة Changxin Memory من سوق DRAM العالمية ارتفعت إلى حوالي 10%، مقارنة بحوالي 4% قبل عام.
قال محللو سيتي جروب في تقرير صدر في أغسطس: "من غير المرجح أن تسمح الحكومة الأمريكية ببيع شرائح الذاكرة المصنوعة في الصين في الولايات المتحدة، لكن المنتجات المباعة إلى مراكز البيانات في مناطق أخرى مثل أوروبا قد تؤثر بشكل غير مباشر على ميكرون."
بدأت شركة أبل في اختبار شرائح DRAM الخاصة بشركة Changxin Memory لاستخدامها في الأجهزة المباعة في الصين، وتضغط على الحكومة الأمريكية للسماح باستخدام منتجات الشركة على نطاق أوسع، حسبما ذكرت صحيفة فايننشال تايمز في يوليو، نقلاً عن أشخاص مطلعين على الأمر.
التعليقات