يواجه تطوير تقنية الربط الهجين HBM من SK Hynix عقبات، وقد تتصدر سامسونج مؤقتًا منافسة الجيل التالي من الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي

📅 2026-10-08

الملخص:

وفقًا لمصادر مطلعة على الصناعة الكورية، تواجه شركة SK Hynix، الشركة الرائدة عالميًا في سوق الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي (HBM)، تحديات في البحث والتطوير في مجال تكنولوجيا الربط الهجين، وربما يكون التقدم الذي أحرزته قد تخلف عن منافستها الرئيسية Samsung Electronics. ووفقا للمصادر، فإن SK Hynix لم تبدأ بعد في إنتاج عينات HBM استنادًا إلى تقنية الربط الهجين، بينما يقال إن سامسونج أرسلت عينات HBM المصنعة باستخدام هذه التقنية إلى العملاء.

إذا كانت الأخبار ذات الصلة صحيحة، فسيكون ذلك بمثابة انتكاسة كبيرة لشركة SK Hynix، التي سيطرت منذ فترة طويلة على سوق HBM. في السنوات الأخيرة، مع النمو السريع للطلب على التدريب على الذكاء الاصطناعي والاستدلال، أصبحت الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي جزءًا مهمًا من مسرعات الذكاء الاصطناعي ومنصات الحوسبة عالية الأداء، وأصبحت المنافسة بين الموردين حول تقنية HBM من الجيل التالي شرسة بشكل متزايد.

تعتبر الصناعة الترابط الهجين أحد تقنيات التغليف الرئيسية لتطوير HBM في المستقبل. على عكس طرق التراص التقليدية، تحقق هذه التقنية اتصالاً دائمًا من خلال الجمع المباشر بين هياكل الترابط المعدنية الموجودة على الشريحتين. يمكن تكديس رقائق متعددة أو حتى رقائق كاملة في ثلاثة أبعاد. ومن خلال التخلص من بنية النتوءات الصغيرة التقليدية، يمكن تحقيق مسارات نقل إشارة أقصر بين الرقائق، وبالتالي تقليل زمن الوصول، وتقليل تشويه الإشارة، وتحسين الأداء العام وكفاءة الطاقة.

بالنسبة لمنتجات HBM التي تستمر في زيادة السعة وعرض النطاق الترددي، يتمتع الترابط الهجين أيضًا بمزايا زيادة كثافة التوصيل البيني، وتحسين قدرات تبديد الحرارة، وتقليل سمك العبوة. لذلك، يعتبر طريقًا تقنيًا مهمًا لدعم منتجات HBM المستقبلية المكونة من 16 طبقة أو حتى أعلى.

ومع ذلك، على الرغم من التكنولوجيا الواعدة، فإن تصنيع الروابط الهجينة أيضًا أمر صعب للغاية. من المعتقد عمومًا في الصناعة أن هذه العملية لها متطلبات صارمة للغاية فيما يتعلق بتسطيح الرقاقة ونظافة السطح ودقة المحاذاة، لذلك كان إنتاج الإنتاج الضخم والتحكم في التكلفة دائمًا من التحديات الرئيسية.

في الوقت الحالي، لا تزال SK Hynix تحتل مكانة رائدة في سوق HBM. وتشير البيانات إلى أنه من بين شحنات المنتجات السائدة مثل HBM3E وHBM4، تمثل SK Hynix ما يقرب من 50% من حصة السوق العالمية، في حين تمثل سامسونج ما يقرب من 33%. ومع ذلك، مقارنة بحصتها السوقية السابقة البالغة حوالي 64%، تراجعت شركة SK Hynix إلى حد ما، بينما تواصل سامسونج توسيع نفوذها.

يعتقد المحللون أن ما إذا كان هيكل السوق سيتغير في المستقبل سيظل يعتمد إلى حد كبير على طلب العملاء. إذا بدأت الشركات المصنعة الكبرى لرقائق الذكاء الاصطناعي في إيلاء المزيد من الاهتمام لمنتجات HBM ذات السعة الأعلى، وتكنولوجيا التعبئة والتغليف الأكثر تقدمًا، والأداء الأعلى، فإن الشركات التي كانت أول من أتقن تكنولوجيا الربط الهجين ودخلت مرحلة الإنتاج الضخم قد تكتسب مزايا تنافسية إضافية.

في هذه الأثناء، لا تزال الصناعة منقسمة حول المهلة الزمنية الفعلية للترابط الهجين. أفيد في وقت سابق من هذا العام أن كلا من سامسونج و SK Hynix يعيدان تقييم الجدول الزمني لتسويق هذه التكنولوجيا. تعتقد بعض توقعات الصناعة أن التطبيقات واسعة النطاق قد لا تظهر في الدفعة الأولى من منتجات HBM4، ولكن من المرجح أن تصبح شائعة حقًا في عصر HBM4E اللاحق أو حتى عصر HBM5.

ومع ذلك، مع استمرار حوسبة الذكاء الاصطناعي في دفع الطلب في السوق على نطاق ترددي أعلى وذاكرة ذات كثافة تكديس أعلى، لا يزال الترابط الهجين يُنظر إليه على نطاق واسع على أنه أحد التقنيات الأساسية لتطوير HBM على المدى الطويل. بالنسبة لشركتي SK Hynix وSamsung، اللتين تتنافسان بشدة على سوق البنية التحتية للجيل التالي من الذكاء الاصطناعي، من المرجح أن تحدد هذه المنافسة حول عمليات التغليف المتقدمة وضع كلا الطرفين في سوق التخزين المتطور في السنوات القليلة المقبلة.

الوسوم ذات الصلة

مقالات مشابهة

التعليقات

0/500
Captcha (click to refresh)
لا توجد تعليقات