تراهن شركة Changxin Memory على بنية DRAM الجديدة ومن المتوقع أن تحقق اختراقًا تجاريًا قبل عامين من سامسونج

الملخص:

تعمل شركة تصنيع شرائح الذاكرة الصينية Changxin Memory (CXMT) على تسريع تخطيط تقنية DRAM من الجيل التالي وتخطط لإطلاق منتجات ذاكرة خادم DDR5 RDIMM باستخدام بنية خلايا الذاكرة 4F² قبل نهاية هذا العام. تقول مصادر الصناعة أنه إذا تم تنفيذ الخطط ذات الصلة بنجاح، فقد يكون التقدم التجاري لشركة Changxin Storage على هذا المسار التكنولوجي الرئيسي متقدمًا بحوالي عامين على Samsung Electronics، التي اجتذبت اهتمامًا كبيرًا من صناعة التخزين العالمية.

ذكر التقرير أن بنية خلية الذاكرة 4F² تعتبر عقدة تقنية مهمة في عملية انكماش DRAM. عادةً ما تشغل خلايا ذاكرة DRAM التقليدية مساحة أكبر من السيليكون، بينما يستوعب تصميم 4F² عددًا أكبر من خلايا الذاكرة في نفس مساحة الرقاقة عن طريق زيادة ضغط حجم الخلية، وبالتالي زيادة سعة الشريحة وتقليل تكاليف تخزين الوحدة. مع استمرار عملية التصنيع في الاقتراب من الحدود المادية، أصبحت كيفية الاستمرار في تحسين كثافة التخزين تحديًا أساسيًا يواجه مصنعي DRAM.

منذ فترة طويلة، قامت شركات تصنيع الذاكرة العالمية الكبرى، بما في ذلك Samsung وSK Hynix وMicron، بدراسة الجيل التالي من بنية DRAM عالية الكثافة. ومع ذلك، فقد تقدم التسويق على نطاق واسع ببطء نسبيًا بسبب الصعوبات الكبيرة للغاية في تعقيد التصميم، وعمليات التصنيع، والتحكم في الإنتاج.

تظهر آخر الأخبار أن شركة Changxin Storage تخطط لأخذ زمام المبادرة في تقديم بنية 4F² في منتجات DDR5 RDIMM. RDIMM عبارة عن وحدة ذاكرة مضمنة مزدوجة مسجلة. وهو يستهدف بشكل أساسي أسواق الخوادم ومراكز البيانات ويستخدم على نطاق واسع في تدريب الذكاء الاصطناعي والحوسبة عالية الأداء والبنية التحتية للحوسبة السحابية.

تعتقد الصناعة أنه إذا تمكنت شركة Changxin Memory من إكمال إصدارات المنتجات كما هو مخطط لها وتحقيق إنتاج ضخم مستقر، فهذا يعني أنها لن تستمر في توسيع طاقتها الإنتاجية فحسب، بل ستحقق أيضًا اختراقات في مجال ابتكار بنية DRAM الأساسية. بالنسبة لسوق الخوادم، تعني كثافة التخزين الأعلى القدرة على نشر ذاكرة ذات سعة أكبر في نفس ظروف المساحة واستهلاك الطاقة، وهو أمر جذاب بشكل خاص لمراكز بيانات الذكاء الاصطناعي.

وأشار التقرير إلى أن جدول الإنتاج الضخم الحالي لشركة سامسونج على طرق تكنولوجية مماثلة لا يزال من المتوقع أن يستغرق عدة سنوات. إذا كان هذا الحكم دقيقًا، فقد تحصل شركة Changxin Storage على ميزة زمنية لمدة عامين تقريبًا في تسويق المنتجات ذات الصلة بهندسة 4F². ومع ذلك، نظرًا لأن المشاريع ذات الصلة لا تزال في مرحلة التقدم، فإن تقدم الإنتاج الضخم النهائي وأداء المنتج ومستويات الإنتاج الفعلية لا تزال بحاجة إلى مزيد من التحقق.

في السنوات الأخيرة، ومع التطور السريع للذكاء الاصطناعي التوليدي ونماذج اللغة واسعة النطاق، يستمر الطلب على الذاكرة ذات السعة العالية والنطاق الترددي العالي في مراكز البيانات العالمية في الارتفاع. بالإضافة إلى أن ذاكرة النطاق الترددي العالي HBM تجذب الكثير من الاهتمام، فإن سوق ذاكرة خادم DDR5 التقليدية يشهد أيضًا جولة جديدة من دورات الترقية. بالنسبة لمصنعي وحدات التخزين، فإن أي شخص يمكنه أخذ زمام المبادرة في اختراق تقنية DRAM عالية الكثافة سيكون لديه الفرصة لاحتلال موقع مناسب في المرحلة التالية من المنافسة في السوق.

يعتقد المحللون أن ترويج Changxin Memory لمنتجات DDR5 RDIMM ذات البنية 4F² لا يتعلق فقط بإصدار منتج واحد، ولكنه يعتبر أيضًا إشارة مهمة لصناعة التخزين في الصين للتحرك نحو عقد تكنولوجيا DRAM أكثر تقدمًا. إذا تم تنفيذ المشروع بنجاح، فمن المتوقع أن يعزز قدرته التنافسية في سوق ذاكرة الخادم العالمية ويضيق الفجوة التكنولوجية مع الشركات المصنعة العالمية الرائدة.