الملخص:
من المتوقع أن تطلق شركة شرائح الذاكرة الصينية Changxin Memory (CXMT) رسميًا الإنتاج الضخم لذاكرة HBM3E ذات النطاق الترددي العالي قبل نهاية عام 2026، وهي المرة الأولى التي تدخل فيها شركة صينية محلية سوق HBM المتقدم. ويعتبر هذا التقدم معلما هاما لسلسلة صناعة الذكاء الاصطناعي في الصين لتحسين قدرات التوريد المستقلة.
وفقًا لآخر الأخبار في الصناعة، تخطط شركة Changxin Storage لبدء الإنتاج الضخم لـ HBM3E خلال الشهرين المقبلين. وفي أغسطس من هذا العام، بدأت الشركة في الإنتاج التجريبي للمخاطر لـ HBM3E وقدمت عينات لبعض العملاء. واليوم، تتقدم المنتجات ذات الصلة تدريجيًا نحو مرحلة التسويق.
تعد HBM إحدى تقنيات التخزين الأكثر أهمية لمسرعات الذكاء الاصطناعي الحالية ووحدات معالجة الرسومات لمراكز البيانات وأنظمة الحوسبة عالية الأداء. نظرًا لقدرتها على توفير نطاق ترددي أعلى بكثير من ذاكرة DRAM التقليدية، أصبحت HBM مكونًا أساسيًا لا غنى عنه للتدريب وتشغيل نماذج الذكاء الاصطناعي واسعة النطاق. في الوقت الحاضر، يتم التحكم في سوق HBM العالمي بشكل أساسي بواسطة SK Hynix وSamsung Electronics وMicron.
وفقًا لمعايير JEDEC، تعتمد HBM3E تصميم ناقل 1024 بت، ويمكن أن تصل سرعة النقل أحادية الدبوس إلى 9.2 جيجابت في الثانية إلى 12.4 جيجابت في الثانية. التكوين السائد عادة هو 9.6 جيجابت في الثانية. يبلغ إجمالي عرض النطاق الترددي الخاص به حوالي 1.2 تيرابايت/ثانية، ويمكنه توفير تكوينات سعة تتراوح من 24 جيجابايت إلى 36 جيجابايت، بما في ذلك حلين رئيسيين: تكديس 8 طبقات وتجميع 12 طبقة.
ومع ذلك، فإن الإنتاج الضخم ليس بالأمر السهل بالنسبة لـ Changxin Storage. تظهر أخبار الصناعة أن HBM3E لا يزال يواجه تحديات الإنتاجية. نظرًا لأن HBM تستخدم قوالب DRAM متعددة الطبقات ليتم تكديسها عموديًا من خلال TSV عبر السيليكون عبر التكنولوجيا، الأمر الذي يتطلب عمليات تصنيع وتغليف عالية للغاية، فقد أصبح معدل الإنتاجية عاملاً مهمًا يقيد توسيع القدرة الإنتاجية.
كشفت المصادر أن معدل الإنتاج الإجمالي الحالي لـ Changxin Storage HBM3E يبلغ حوالي 20% إلى 30%، وهو أقل بكثير من مستوى الشركات المصنعة العالمية الرائدة. من بينها، يبلغ معدل العائد في مرحلة تصنيع الرقاقة الأمامية حوالي 30%. بعد إدخال العبوة الخلفية، يمكن تحسين معدل النجاح بحوالي 70%. ومع ذلك، في النهاية، لا يزال لدى معدل العائد الإجمالي مجال كبير للتحسين.
يعتقد محللو الصناعة أن التحدي الفني الأكبر الذي يواجه شركة Changxin Storage يأتي حاليًا من نضج تكنولوجيا TSV. بالمقارنة مع الشركات المصنعة الدولية، لا تزال هناك فجوة معينة في عملية التراص. على سبيل المثال، تستخدم سامسونج حوالي 5000 اتصال TSV على طبقة واحدة في عصر HBM2، بينما تجاوزت SK Hynix 8000 اتصال على منتجات HBM3. تحاول شركة Changxin Memory استخدام حوالي 3000 TSV لتنفيذ تصميم HBM3E، والذي يضع متطلبات أعلى على دقة التصنيع والموثوقية.
بسبب العوامل التقنية ذات الصلة، من المتوقع أن تركز شركة Changxin Storage على منتجات HBM3E المكدسة ذات 8 طبقات على المدى القصير ولن تتقدم بسرعة إلى المنتجات المكدسة المكونة من 12 طبقة ذات سعة أكبر في الوقت الحالي.
في الوقت نفسه، كشفت العديد من وكالات الأنباء أن شركة Changxin Memory قدمت نسختين من عينات HBM3E لشركات شرائح الذكاء الاصطناعي المحلية، بما في ذلك الإصدار القياسي والإصدار الجديد المحسن لتحقيق العائد. يتم حاليًا اختبار العينات ذات الصلة والتحقق منها من جانب العميل.
من حيث الأداء، أظهرت الاختبارات الأولية أن الأداء العام لمنتجات HBM3E الحالية لشركة Changxin Storage أقرب إلى الجيل السابق من HBM3 من SK Hynix، ولكن لا تزال هناك فجوة مقارنة بمنتجات HBM3E المتقدمة عالميًا. ومع ذلك، أشار المطلعون على الصناعة إلى أنه بالنسبة للمصنعين الذين دخلوا للتو مسار HBM، فإن تحقيق الإنتاج الضخم في حد ذاته يعد إنجازًا كبيرًا.
يعتقد المحللون أنه حتى لو لم يكن معدل الإنتاج الحالي مرتفعًا، فإن شركة Changxin Storage لا تزال لديها الدافع لمواصلة تعزيز الإنتاج الضخم. مع النمو السريع لطلب مصنعي شرائح الذكاء الاصطناعي في الصين على الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي، تستمر أهمية مصادر إمداد HBM المحلية في الزيادة. في مواجهة قلة العرض من وحدات تخزين الذكاء الاصطناعي المتقدمة والضغط الناجم عن قيود الاستيراد، هناك طلب واضح على منتجات HBM في السوق المحلية.
شهد السوق زيادة في أسعار شرائح الذكاء الاصطناعي مؤخرًا، ويعتبر توفير الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي بشكل عام أحد الأسباب المهمة. سبق أن تعرضت شركات الرقائق، بما في ذلك Alibaba Pingtouge وCambrian، لاختبار حلول HBM المحلية على أمل تقليل اعتمادها على سلاسل التوريد الخارجية.
تتوقع الصناعة أنه إذا سارت عملية التحقق من العميل بسلاسة، فمن المتوقع أن تدخل منتجات مسرع الذكاء الاصطناعي المحلية التي تستخدم Changxin Storage HBM3E إلى السوق في أقرب وقت بحلول عام 2027. على الرغم من أنه لا تزال هناك فجوة تكنولوجية تتراوح من جيل إلى جيلين مقارنة بالشركات المصنعة الرائدة في العالم، فإن دخول Changxin Storage إلى مجال HBM يعني أن النظام البيئي المحلي لأجهزة الذكاء الاصطناعي في الصين يكمل الأجزاء الرئيسية من اللغز ويبدأ في تحدي سوق تخزين الذكاء الاصطناعي المتطور.
التعليقات