الملخص:
نقلت رويترز عن "The Information" تقريرًا في 6 نوفمبر مفاده أن TSMC تدرس الدخول في تصنيع الذاكرة المتقدمة وتخطط للبحث وإنتاج ذاكرة الوصول العشوائي ثلاثية الأبعاد. وفقًا لشخصين مطلعين على الأمر، تم إطلاق الخطة بعد أن قدمت Nvidia طلبًا، والهدف هو منح TSMC حصة أكبر من سلسلة توريد أجهزة الذكاء الاصطناعي. وذكر التقرير أيضًا أن العمل ذو الصلة يقوده Xu Guojin، نائب المدير العام المسؤول عن أعمال التغليف المتقدمة.
تتضمن الخطط المشاع بناء مصنع جديد لرقائق الذاكرة، أو الاستحواذ على مصنع قائم وتحويله إلى خط إنتاج للذاكرة؛ لا يوجد جدول زمني واضح لموعد بدء الإنتاج. تعمل ذاكرة DRAM ثلاثية الأبعاد على تكديس خلايا الذاكرة عموديًا لزيادة سعة التخزين لكل وحدة مساحة، على عكس ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية الحالية، التي تقوم بشكل أساسي بتصنيع خلايا الذاكرة في بنية مستوية. إذا تم تنفيذها، فسوف تدخل TSMC السوق الذي سيطرت عليه منذ فترة طويلة شركات Samsung وSK Hynix وMicron.
ومع ذلك، أخبرت TSMC لاحقًا شركة Tom’s Hardware أن الشركة ركزت دائمًا على مسبك الدوائر المتكاملة الاحترافي، وهدفها على المدى الطويل هو توفير التكنولوجيا والقدرة الإنتاجية لصناعة الرقائق المنطقية العالمية. لقد نفى الرد بشكل فعال خطط تصنيع الذاكرة المبلغ عنها. ولم تعلق TSMC ولا Nvidia على الفور عندما سألتها رويترز.
تأتي الشائعات ذات الصلة في الوقت الذي يؤدي فيه الطلب على مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي إلى ارتفاع الطلب على شرائح الذاكرة وأسعارها، وتبحث شركات تصميم الرقائق عن المزيد من مصادر العرض. على الرغم من أن TSMC توفر حاليًا للعملاء خدمات التعبئة والتغليف المتقدمة وغيرها من الخدمات، فإن تصنيع DRAM بمفرده سيعني الدخول في مجال عمل جديد؛ في هذه المرحلة، لا يوجد دليل عام على أن الشركة قررت الاستثمار في أو الترويج للإنتاج الضخم لذاكرة الوصول العشوائي ثلاثية الأبعاد.
التعليقات