الملخص:
مع استمرار ارتفاع الطلب على الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي (HBM) في سوق الذكاء الاصطناعي، تقود NVIDIA خطة غير مسبوقة لتكامل سلسلة التوريد. وفقًا لآخر الأخبار، فإن ذاكرة NVHBM المخصصة ذات النطاق الترددي العالي التي طورتها NVIDIA للجيل القادم من مسرعات الذكاء الاصطناعي ستدفع إلى منافسة طويلة الأمد بين Samsung Electronics وTSMC للتعاون من أجل إنشاء شريحة أساسية (Base Die) بشكل مشترك استنادًا إلى عملية 3 نانومتر.
وفقًا للتقارير، اعتمدت سامسونج دائمًا نموذجًا "جاهزًا" في تطوير منتجات HBM، أي أن شريحة الذاكرة الأساسية (Core Die) والشريحة الأساسية تم تصميمها وتصنيعها بنفسها. ومع ذلك، فإن الإصدار المخصص من NVIDIA من NVHBM يفرض متطلبات توحيد أكثر صرامة على عملية التصنيع، لذلك يتعين على Samsung وTSMC المشاركة بشكل مشترك في تطوير شرائح أساسية بحجم 3 نانومتر لتشكيل مواصفات منتج موحدة وتقليل خطوات التحقق من الجودة اللاحقة.
بالإضافة إلى Samsung، تم تضمين Micron وSK Hynix أيضًا في هذه الخطة. وتأمل NVIDIA أنه من خلال توحيد عملية التصنيع، يمكن لمنتجات HBM المقدمة من الموردين المختلفين تحقيق أداء ثابت. لقد تم الإبلاغ سابقًا أن وحدات معالجة الرسوميات الخاصة بهندسة Feyman ستستخدم حلول HBM المخصصة في المستقبل. قالت NVIDIA أنه بالمقارنة مع منتجات HBM4E القياسية، من المتوقع أن توفر NVHBM ما يصل إلى 30% من النطاق الترددي الإضافي للذاكرة مع تقليل استهلاك الطاقة بنسبة تصل إلى 15%.
من أجل تحقيق هذا الهدف، تطلب Nvidia من Samsung وMicron وSK Hynix استخدام عملية TSMC ذات 3 نانومتر بشكل موحد لإنتاج شرائح NVHBM الأساسية. وفي الوقت نفسه، تحتاج شريحة الذاكرة الأساسية إلى استخدام عملية DRAM من الجيل السادس، والتي تسمى أيضًا عقدة العملية "1c".
السبب الرئيسي الذي يدفع جميع الموردين لاستخدام نفس نظام التصنيع هو ضمان الأداء المتسق للمنتج النهائي. إذا تم إنتاج جميع الرقائق الأساسية باستخدام عملية TSMC مقاس 3 نانومتر، فلن تحتاج NVIDIA إلى إجراء تحقق مستقل لكل مورد، وبالتالي توفير الكثير من الوقت والموارد الهندسية وتسريع تقديم المنتج.
وقد ورد أن سامسونج قبلت الطلب. وهذه أيضًا هي المرة الأولى التي تتخلى فيها الشركة عن النموذج "الجاهز" المستقل تمامًا لمنتجات HBM. ومع ذلك، لم تتخل سامسونج تمامًا عن موارد المسبك الخاصة بها. لا تزال الشركة تقوم بتقييم خطة قدرة المسبك الخاصة بها لمنع الطلب المستقبلي على NVHBM من تجاوز القدرة الإنتاجية التي يمكن أن توفرها TSMC.
وفي الوقت نفسه، ستظل سامسونج مسؤولة عن البحث والتطوير للرقائق الأساسية والرقائق الأساسية لمنتجات HBM القياسية. وبالنظر إلى أن الطلب على HBM في سوق الذكاء الاصطناعي مستمر في الارتفاع، حتى لو كان ذلك يتطلب التعاون مع منافسها الرئيسي TSMC، فإن سامسونج على استعداد لقبول هذا الترتيب الخاص لضمان قدرتها على الاستمرار في المشاركة في سلسلة توريد الذكاء الاصطناعي عالية القيمة من Nvidia.
بالنسبة لشركة Samsung، أصبحت أعمال HBM أيضًا ركيزة مهمة في تحسين الأداء المالي لأعمال المسابك. وأظهرت بيانات الصناعة السابقة أن حجم خسائر قسم المسبك التابع لشركة سامسونج قد تقلص من 6.74 تريليون وون في عام 2025 إلى 3.92 تريليون وون في عام 2026، بانخفاض قدره 41%. مع استمرار توسع أسواق خوادم ومسرعات الذكاء الاصطناعي، يُنظر إلى منتجات HBM ذات هامش الربح المرتفع على أنها فرصة مهمة لمساعدة سامسونج على تحسين الربحية بشكل أكبر.
يعتقد المحللون أن ترويج Nvidia للإنتاج الموحد NVHBM لن يساعد فقط في تحسين اتساق أداء المنتج وكفاءة التوريد، بل سيكسر أيضًا نموذج مصنعي وحدات التخزين التقليدية الذين يتقاتلون مع بعضهم البعض. على خلفية المنافسة الشرسة المتزايدة في البنية التحتية للذكاء الاصطناعي، شكلت Samsung وTSMC، اللتان كانتا في الأصل في منافسة شرسة، شراكة مؤقتة بسبب احتياجات Nvidia. تسلط هذه الظاهرة الضوء على التأثير العميق المتزايد لصناعة الذكاء الاصطناعي على نمط سلسلة التوريد العالمية لأشباه الموصلات.
التعليقات