الملخص:
في سياق انفجار الطلب العالمي على طاقة الحوسبة مدفوعًا بالذكاء الاصطناعي، تشهد صناعة أشباه الموصلات ظاهرة لم يكن من الممكن تصورها تقريبًا في الماضي: القيمة السوقية لكل وحدة مساحة من رقائق DRAM المتقدمة المستخدمة لتصنيع ذاكرة DDR5 تجاوزت الرقائق المنطقية الأكثر تقدمًا من TSMC مقاس 2 نانومتر.
يظهر أحدث تحليل للصناعة أن قيمة مساحة الوحدة الحالية البالغة 1b DRAM تبلغ حوالي 0.654 دولارًا أمريكيًا لكل مليمتر مربع، في حين أن سعر مساحة الوحدة المقابلة لرقاقة TSMC 2 نانومتر (N2) يبلغ حوالي 0.424 دولارًا أمريكيًا لكل مليمتر مربع. بمعنى آخر، بالنسبة لرقاقة السيليكون ذات الحجم نفسه، فإن القيمة السوقية الحالية لذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية المتقدمة أعلى بحوالي 54% من قيمة عملية TSMC الأكثر تطورًا.
فاجأت هذه النتيجة العديد من الأشخاص في الصناعة، لأنه من حيث صعوبة التصنيع، فإن الاثنين ليسا على نفس المستوى على الإطلاق.
تمثل عملية TSMC بدقة 2 نانومتر واحدة من أكثر تقنيات تصنيع الرقائق المنطقية تقدمًا في العالم. ويتطلب ذلك استخدام معدات الطباعة الحجرية الأكثر تعقيدًا بالأشعة فوق البنفسجية (EUV)، وهياكل الترانزستور المتقدمة وعمليات التصنيع الصارمة للغاية. تعقيد العملية الخاص بها أعلى بكثير من تقنية تصنيع DRAM المستخدمة في ذاكرة DDR5.
ومع ذلك، فإن تسعير السوق لا يعمل وفقًا لصعوبة التصنيع.
وفقًا لبيانات الصناعة، يبلغ سعر رقاقة TSMC 3nm مقاس 300 مم حوالي 20,000 دولار أمريكي، بينما يقترب سعر رقاقة 2 نانومتر من نفس الحجم من 30,000 دولار أمريكي. بعد التحويل، يبلغ سعر مساحة الوحدة للرقائق بحجم 3 نانومتر حوالي 0.283 دولارًا أمريكيًا لكل مليمتر مربع، ويبلغ سعر الرقائق بحجم 2 نانومتر حوالي 0.424 دولارًا أمريكيًا لكل مليمتر مربع.
من ناحية أخرى، تصل كثافة البت الحالية لـ 1b DRAM إلى 0.436 جيجا بايت لكل مليمتر مربع. إذا تم حسابها على أساس سعر السوق الذي يبلغ حوالي 1.50 دولارًا أمريكيًا لكل جيجا بايت، فإن قيمتها المقابلة تبلغ حوالي 0.654 دولارًا أمريكيًا لكل مليمتر مربع، متجاوزة رقاقة TSMC ذات 2 نانومتر.
من الجدير بالذكر أن هذا التقدير ليس رقمًا نظريًا منفصلاً عن واقع السوق.
مؤخرًا، أظهرت البيانات الصادرة عن مؤسسة أبحاث السوق DRAM Exchange أن سعر منتجات DDR5 eTT بسعة 16 جيجابت يبلغ حوالي 24.80 دولارًا أمريكيًا، وهو ما يعادل سعرًا لكل جيجابت يبلغ حوالي 1.55 دولارًا أمريكيًا. ولذلك، فإن السعر المرجعي البالغ 1.50 دولارًا أمريكيًا الذي اعتمدته وكالة التحليل يعتبر معقولًا للغاية.
والأمر الأكثر إثارة للاهتمام هو أنه حتى ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية 1z المتقادمة تقنيًا تتمتع بقيمة مساحة وحدة قريبة من مستوى TSMC الذي يبلغ 2 نانومتر.
تشير البيانات إلى أن كثافة البت لذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية 1z تبلغ حوالي 0.273 جيجابت لكل مليمتر مربع. وفقًا لنفس طريقة الحساب، تبلغ قيمتها حوالي 0.410 دولارًا أمريكيًا لكل مليمتر مربع، وهو ما يعادل تقريبًا 0.424 دولارًا أمريكيًا للرقائق بحجم 2 نانومتر.
يرى محللو الصناعة أن هذه الظاهرة لا تعني أن تكاليف إنتاج DRAM تجاوزت الـ 2 نانومتر.
ما تغير بالفعل هو العلاقة بين العرض والطلب في السوق.
على مدى السنوات العديدة الماضية، كان يُعتقد بشكل عام أن العمليات المنطقية الأكثر تقدمًا تمثل موارد التصنيع الأكثر قيمة في سلسلة صناعة أشباه الموصلات. ومع ذلك، مع زيادة الطلب على الذاكرة في خوادم تدريب الذكاء الاصطناعي، ومجموعات الاستدلال، ومنصات الحوسبة عالية الأداء بشكل كبير، أصبحت DRAM واحدة من أكثر الموارد ندرة في الصناعة بأكملها.
على وجه الخصوص، تستمر أسعار DDR5 والذاكرة ذات النطاق الترددي العالي والعديد من منتجات التخزين المتقدمة لأنظمة الذكاء الاصطناعي في الارتفاع وسط النقص المستمر في السوق، مما يدفع القيمة لكل وحدة مساحة إلى الاستمرار في الارتفاع.
وأشار المحللون إلى أن الأسعار المرتفعة الحالية التي قدمها السوق تعكس في الأساس الندرة، وليس صعوبة التصنيع.
على الرغم من أن الشركات المصنعة مثل Samsung وSK Hynix وMicron تواصل توسيع إنتاجها، إلا أن طلب صناعة الذكاء الاصطناعي على الذاكرة لا يزال ينمو بشكل أسرع من العرض الجديد. لا يتطلب عدد كبير من خوادم الذكاء الاصطناعي وحدات معالجة رسومات متقدمة فحسب، بل يتطلب أيضًا كمية كبيرة من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM)، مما تسبب في توتر طويل الأمد في صناعة التخزين بأكملها.
وفي الوقت نفسه، هناك جيل جديد أكثر تكلفة من تكنولوجيا DRAM في الطريق.
على سبيل المثال، قامت سامسونج بتعديل مسار تطوير الجيل التالي من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) وتقنية الربط الهجين المتقدمة قبل الموعد المحدد. سوف تتبنى ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) المتطورة في المستقبل أساليب تصنيع أكثر تعقيدًا. سيتم تصنيع خلايا الذاكرة ودوائر التحكم الطرفية بشكل منفصل ثم يتم دمجها من خلال الترابط الهجين على مستوى الرقاقة.
نظرًا للزيادة الكبيرة في تكلفة هذه العملية الجديدة، تتوقع الصناعة أن سعر منتجات DRAM المتقدمة من المرجح أن يظل مرتفعًا في المستقبل.
بالنسبة لصناعة أشباه الموصلات بأكملها، تطلق هذه الظاهرة إشارة مهمة: في عصر الذكاء الاصطناعي، لم يعد العامل الذي يحدد القيمة مجرد تعقيد عملية التصنيع، ولكن ما هي الموارد النادرة حقًا في السوق. في المرحلة الحالية، لم تعد واحدة من أكثر الموارد ندرة في العالم مجرد عمليات منطقية متقدمة، بل ذاكرة ذات سعة كبيرة وعالية الأداء يمكنها دعم تشغيل أنظمة الذكاء الاصطناعي.
التعليقات