الملخص:
لقد تصاعدت مرة أخرى حرب براءات الاختراع NAND ثلاثية الأبعاد التي استمرت لمدة ثلاث سنوات تقريبًا بين Micron وYangtze Memory. رفعت شركة Micron مؤخرًا دعوى قضائية ضد شركة Yangtze Memory في محكمة المقاطعة الفيدرالية في ولاية أيداهو، متهمة الأخيرة بالحصول على تكنولوجيا التصنيع 3D NAND والأسرار التجارية من خلال توظيف مهندسين سابقين في شركة Micron واستخدام هذه التقنيات في بناء منتجات ذاكرة الفلاش الخاصة بها ونظام براءات الاختراع. زعم ميكرون أيضًا أن شركة Yangtze Memory استخدمت لاحقًا بعض براءات الاختراع التي قدمها موظفو Micron السابقون لمقاضاة Micron بتهمة انتهاك براءات الاختراع في الولايات المتحدة ودول ومناطق أخرى.
تجدر الإشارة إلى أن المحتويات المذكورة أعلاه هي حاليًا جميع الاتهامات التي وجهتها ميكرون في وثائق الدعوى، ولا تعني أن المحكمة قررت أن شركة Yangtze Memory قد ارتكبت بالفعل أعمالًا غير قانونية فيما يتعلق باختلاس الأسرار التجارية أو ملكية براءات الاختراع. تستمر النزاعات بين الأطراف المحيطة بهذه التقنيات وبراءات الاختراع في ولايات قضائية متعددة.
ذكرت شركة Micron في الشكوى أن شركة Yangtze Memory قامت بتوظيف عدد من مهندسي شركة Micron، بما في ذلك Daesik Song وWenxi Zhou وHua Tan. كان لدى هؤلاء الموظفين إمكانية الوصول إلى معلومات تقنية 3D NAND سرية للغاية أثناء عملهم السابق في Micron، ووفقًا للعقد الموقع مع Micron، كانوا لا يزالون ملزمين بحماية الأسرار التجارية حتى بعد مغادرة الشركة.
وأشار ميكرون على وجه التحديد إلى أن بعض المهندسين المشاركين انضموا إلى YMTC بعد وقت قصير من ترك الشركة، ولكن عندما تركوا الشركة، أوضحوا مغادرتهم لأسباب شخصية أو عائلية، ولم يقوموا بتحديث معلومات عملهم في الوقت المناسب على منصات التواصل الاجتماعي المهنية مثل LinkedIn. تعتقد ميكرون أن هذا أدى إلى عدم إدراكها في ذلك الوقت أن هؤلاء الأفراد تمكنوا من الوصول إلى Yangtze Storage، ولم تشك على الفور في أن التكنولوجيا السرية للشركة ربما تم نقلها إلى منافس.
وفقًا لشركة Micron، كان هؤلاء المهندسون قد تمكنوا سابقًا من الوصول إلى معلومات فنية سرية للغاية على خوادم Micron في بويز، أيداهو، بما في ذلك عقد الاختبار وعقد الإنتاج. نطاق التقنيات ذات الصلة واسع جدًا، بما في ذلك تقنيات تصنيع NAND ثلاثية الأبعاد الرئيسية مثل النقش بنسبة العرض إلى الارتفاع العالية، وعملية بوابة الاستبدال، واتصال المكدس متعدد الطبقات، وتكوين عمود خلايا الذاكرة وتنظيفها، ودوائر الإدخال / الإخراج للذاكرة.
زعمت شركة ميكرون أن شركة Yangtze Memory قامت بعد ذلك بتعيين هؤلاء الموظفين في مجالات بحث وتطوير مماثلة واستخدمت خبرتهم الفنية السابقة لتطوير منتجاتها الخاصة. والأهم من ذلك، يعتقد ميكرون أن بعض الموظفين السابقين أصبحوا فيما بعد مخترعين لبراءات اختراع Yangtze Memory، وتداخلت التقنيات المستخدمة في براءات الاختراع هذه مع أعمالهم البحثية والتطويرية السابقة في Micron.
تعتقد ميكرون أن المشكلة لا تكمن فقط في انتقال المهندسين من شركة شرائح إلى أخرى، ولكن قد يتم تحويل بعض التقنيات من الأسرار التجارية لشركة Micron إلى الملكية الفكرية لشركة Yangtze Memory أثناء عملية تدفق الموظفين، وفي النهاية تشكيل محفظة براءات اختراع يمكن استخدامها لبدء دعوى قضائية بشأن براءات الاختراع ضد Micron.
قالت شركة ميكرون إنها لاحظت هذه المشكلة تدريجيًا فقط بعد أن رفعت شركة يانغتسي ميموري دعوى قضائية ضد شركة ميكرون لأول مرة في نوفمبر 2023 في كاليفورنيا. في ذلك الوقت، اتهمت شركة Yangtze Memory شركة Micron بانتهاك براءات الاختراع الأمريكية المتعلقة بـ 3D NAND. وعندما درست شركة ميكرون قائمة مخترعي براءات الاختراع ذات الصلة، وجدت أن بعض المخترعين كانوا مهندسين سبق لهم العمل في شركة ميكرون.
الموظفون السابقون الذين أدرجتهم شركة Micron هذه المرة هم Hongbin Zhu وJun Liu وYushi Hu وQian Tao وChanghyun Lee وDaesik Song وWenxi Zhou وHua Tan. يعتقد ميكرون أن التقنيات التي تعرض لها هؤلاء الموظفون خلال فترة عملهم غطت روابط تصنيع NAND ثلاثية الأبعاد متعددة، وأصبح بعضهم فيما بعد مخترعي براءات الاختراع المتعلقة بذاكرة Yangtze.
من بينها، جذبت العديد من براءات الاختراع الأمريكية المتعلقة بـ Hongbin Zhu اهتمامًا خاصًا من شركة Micron. تعتقد ميكرون أن بعض براءات الاختراع الخاصة بشركة Yangtze Memory التي طلبها موظفوها السابقون مرتبطة بالتكنولوجيا التي طوروها سابقًا في Micron، وقد تم استخدام بعض براءات الاختراع هذه وعائلات براءات الاختراع الخاصة بها لاحقًا بواسطة Yangtze Memory في الدعاوى القضائية المرفوعة ضد Micron.
ومع ذلك، فإن حقيقة قيام موظف سابق بتبديل وظائفه من شركة شرائح إلى شركة منافسة والاستمرار في الانخراط في البحث والتطوير في مجال تقني على دراية به لا يثبت في حد ذاته سرقة الأسرار التجارية. يعد تدفق المهندسين بين شركات التكنولوجيا أمرًا شائعًا جدًا، ومن المرجح أن يستمر المهندسون في نفس المجال في العمل على تقنيات مماثلة. الخلاف الحقيقي هو ما إذا كانت الاختراعات المحددة في براءات الاختراع ذات الصلة قد تم تشكيلها خلال فترة ولاية ميكرون أو اكتملت بشكل مستقل بعد الانضمام إلى ذاكرة يانغتسى، وما إذا كان قد تم استخدام التكنولوجيا السرية المحمية بواسطة ميكرون.
إذا تمكنت ميكرون في نهاية المطاف من إثبات أن بعض براءات الاختراع الخاصة بها مستمدة بالفعل من إنجازات تكنولوجية مملوكة لها، فلن يقتصر النزاع على ما إذا كانت شركة يانجتسي ميموري قد انتهكت الأسرار التجارية لشركة ميكرون، بل قد يشمل أيضًا ملكية الحقوق الحقيقية لبراءات الاختراع ذات الصلة. تحاول دعوى ميكرون التأكيد من خلال المحكمة على أن بعض براءات الاختراع ذات الصلة تنتمي بالفعل إلى ميكرون، مما يضعف الأساس القانوني لشركة Yangtze Memory لاستخدام براءات الاختراع هذه لمقاضاة ميكرون.
لقد استمرت حرب براءات الاختراع هذه في الواقع لمدة ثلاث سنوات تقريبًا. رفعت شركة Yangtze Memory دعوى قضائية ضد شركة Micron في المحكمة الجزئية الأمريكية للمنطقة الشمالية من كاليفورنيا في نوفمبر 2023، والتي تضمنت في البداية 8 براءات اختراع أمريكية، تستهدف بشكل أساسي بنية NAND ثلاثية الأبعاد وتكنولوجيا التصنيع. بعد ذلك، رفعت شركة يانغتسي ميموري عدة دعاوى قضائية في الصين واستمرت في إضافة دعاوى قضائية جديدة لبراءات الاختراع في الولايات المتحدة.
بحلول أكتوبر 2025، قامت شركة Yangtze Storage بتوسيع خطوطها الأمامية لتشمل تكساس والمملكة المتحدة ومحكمة براءات الاختراع الأوروبية الموحدة والمحاكم الألمانية، مما أدى إلى تحويل نزاعات براءات الاختراع التي كانت مقتصرة في الأصل على الولايات المتحدة إلى نزاعات ملكية فكرية عالمية تغطي بلدان ومناطق متعددة.
حتى الآن، شارك الطرفان في أكثر من 20 براءة اختراع ودعوى قضائية، ولا تشمل هذه القضايا انتهاك براءات الاختراع فحسب، بل تشمل أيضًا بطلان براءات الاختراع وتأكيد الأحكام والنزاعات القانونية الأخرى ذات الصلة. بدأت ميكرون أيضًا في الرد واقترحت أن يكون ميكرون هو صاحب الحقوق الحقيقي لبعض براءات اختراع Yangtze Memory.
قبل الدعوى القضائية الأخيرة التي رفعتها ميكرون مباشرة، كانت شركة يانغتسي ميموري قد حققت بالفعل تقدمًا تدريجيًا في ألمانيا. في 18 سبتمبر 2026، قضت المحكمة الجزئية الأولى في ميونيخ بألمانيا بأن شركة Micron انتهكت نموذجين ألمانيين للمنفعة يتعلقان بـ 3D NAND لذاكرة Yangtze وأصدرت حظرًا على المنتجات ذات الصلة.
الحقوق المعنية هي DE 20 2020 006 166 U1 وDE 20 2021 004 551 U1، والتي تتضمن هيكل السلم لـ 3D NAND وتقنية الطبقة الحاجزة المتعلقة باتصال خط الكلمة. وتبلغ مدة حماية هذين الحقين 10 سنوات، ولم تصدر المحكمة بعد حكما نهائيا بشأن التعدي على ثلاث قضايا أخرى ذات صلة.
من الجدير بالذكر أن هاتين العائلتين الألمانيتين من براءات اختراع نماذج المنفعة مرتبطتان بمهندس Micron السابق Wenxi Zhou، كما تم استخدام براءات الاختراع الأمريكية المقابلة بواسطة Yangtze Memory في دعوى قضائية ضد Micron. ويرتبط هذا ارتباطًا مباشرًا باتهام ميكرون الأخير بأن "الموظفين السابقين جلبوا تقنية Micron 3D NAND إلى Yangtze Memory وشاركوا أيضًا في أبحاث وتطوير براءات الاختراع ذات الصلة".
ومع ذلك، فإن الحكم الألماني لا يزال مجرد نتيجة للمحكمة الابتدائية. وقد استأنف ميكرون القرار ويطعن في صحة الحقوق في إجراءات قضائية أخرى. ولذلك، فإن هذين الحظرين الألمانيين لا يعنيان أن النزاع العالمي حول براءات الاختراع بين الطرفين قد انتهى.
لم تحقق الدعاوى القضائية السابقة التي رفعتها شركة يانجتز ميموري في الولايات المتحدة نفس النتائج التي حققها هذا الحكم الألماني بالضبط، كما تم الطعن في بعض براءات الاختراع المتنازع عليها بسبب بطلانها. وفي الوقت نفسه، تواصل شركة Micron حماية حقوق الملكية الفكرية الخاصة بها من خلال الدعاوى المضادة ودعاوى التأكيد.
إن الخلفية الصناعية وراء هذا النزاع مميزة جدًا أيضًا. تعد 3D NAND إحدى التقنيات الأساسية لمحركات أقراص SSD الحديثة والهواتف الذكية وأجهزة التخزين على مستوى المؤسسات. لقد حافظت الشركات المصنعة مثل Samsung وSK Hynix وMicron وKioxia وWestern Digital وYangtze Memory على عوائقها التقنية منذ فترة طويلة من خلال ترخيص براءات الاختراع والترخيص المتبادل والتقاضي. نظرًا لأن 3D NAND تتضمن عددًا كبيرًا من التقنيات المعقدة بدءًا من بنية خلايا الذاكرة وحتى دوائر الحفر والتكديس والاتصال ودوائر الإدخال/الإخراج، فإن حدود براءات الاختراع بين مختلف الشركات المصنعة غالبًا ما تكون معقدة للغاية.
من الواضح أن الإستراتيجية التي تبنتها ميكرون هذه المرة أكثر استباقية من الطريقة السابقة المتمثلة في الدفاع بشكل أساسي عن دعوى براءات الاختراع الخاصة بشركة Yangtze Memory. في السنوات الثلاث الماضية، استخدمت شركة Yangtze Memory براءات الاختراع بشكل مستمر لرفع دعاوى قضائية ضد شركة Micron، في حين استجابت شركة Micron بشكل أساسي من خلال تحديات إبطال براءات الاختراع والدعاوى المضادة. إن رفع دعوى قضائية مباشرة بخصوص الأسرار التجارية وملكية براءات الاختراع في أيداهو، الولايات المتحدة الأمريكية، يعني أن ميكرون قد بدأت في التشكيك في عملية تشكيل محفظة براءات الاختراع لشركة Yangtze Memory من زاوية أخرى.
إذا استطاعت ميكرون أن تثبت في المحكمة أن بعض الاختراعات التي تغطيها براءات اختراع شركة يانغتسي ميموري تنتمي بالفعل إلى ميكرون، أو تثبت أن شركة يانغتسي ميموري استخدمت بشكل غير قانوني أسرار ميكرون التجارية أثناء عملية البحث والتطوير، فإن النتائج ذات الصلة قد تؤثر أيضًا على دعاوى براءات الاختراع الجارية الأخرى بين الطرفين. ومع ذلك، إذا لم تتمكن ميكرون من إثبات أن هناك نقلًا غير صحيح لهذه التقنيات، فإن مجرد عمل المهندسين في ميكرون لا يكفي لإثبات وجود مشاكل مع براءات الاختراع ذات الصلة بشركة يانغتسي ميموري.
لذا، فإن النزاع الحالي يحتوي في الواقع على قضيتين متشابكتين: من ناحية، ما إذا كانت شركة يانغتسي ميموري قد انتهكت الأسرار التجارية لشركة ميكرون، ومن يجب أن يمتلك بعض براءات الاختراع؛ ومن ناحية أخرى، ما إذا كانت ميكرون قد انتهكت تقنية NAND ثلاثية الأبعاد الخاصة بشركة Yangtze Memory والتي حصلت على الحماية القانونية. ومع استمرار تقدم القضايا في الولايات المتحدة والصين وألمانيا والمملكة المتحدة ومحكمة براءات الاختراع الأوروبية الموحدة، فمن المرجح أن تستمر نزاعات الملكية الفكرية بين الطرفين لفترة طويلة.
التعليقات