الملخص:
تخطط شركة Micron لمضاعفة قدرتها الإنتاجية للذاكرة ذات النطاق الترددي العالي (HBM) مقارنة بالعام الماضي. ستقوم الشركة بترويج الاستثمار الجذري في المعدات قبل نهاية العام لتعزيز القدرة التوريدية للجيل الجديد من منتجات HBM - HBM4 ذات 12 طبقة. تهدف هذه الخطوة إلى تعويض عيوب HBM في القدرة الإنتاجية مقارنة بشركة Samsung Electronics وSK Hynix وزيادة حصتها في السوق.
وفقًا لأخبار الصناعة في اليوم الثالث، تخطط شركة Micron لزيادة القدرة الإنتاجية لـ HBM (على أساس الرقائق) بما يصل إلى 60,000 قطعة شهريًا بحلول نهاية هذا العام. بقي إنتاج ميكرون الشهري من HBM في العام الماضي عند 4 إلى 50.000 قطعة، وسوف تتجاوز الزيادة الصافية لهذا العام القدرة الإنتاجية الأصلية للعام الماضي.
قال أحد المطلعين على الصناعة والمطلع على الأعمال ذات الصلة: "تقوم شركة Micron باستثمارات واسعة النطاق في المعدات لزيادة الطاقة الإنتاجية لـ HBM4 بسرعة. وبحلول نهاية هذا العام، ستحقق قدرة إنتاجية لـ HBM تبلغ حوالي 100000 قطعة شهريًا."
من أجل تحقيق أهداف الطاقة الإنتاجية المذكورة أعلاه، تعمل Micron على زيادة طلبات الشراء (PO) لعدد من الشركات المصنعة لمعدات تصنيع HBM. ومن المعلوم أن المعدات الموجودة في قاعدة إنتاج HBM التابعة لشركة Micron مستمرة في دخول السوق.
من المتوقع أن تزداد نسبة مخرجات HBM4 المكونة من 12 طبقة بشكل ملحوظ. في الوقت الحاضر، معظم مخرجات Micron HBM هي HBM3E ذات 12 طبقة. في بداية هذا العام، كان HBM4 ذو 12 طبقة يمثل 20%-30% فقط من إجمالي الإنتاج. ويذكر أن هذه النسبة سترتفع لتصل إلى 50% مع نهاية العام.
سيتم تثبيت طبقة HBM412 على شركة Vera Rubin التابعة لشركة Nvidia، الشركة الرائدة عالميًا في مجال شرائح الذكاء الاصطناعي. بدأت ميكرون الإنتاج الضخم لـ HBM4 ذو 12 طبقة في الربع الثاني من هذا العام.
التعليقات