الملخص:
ذكرت شركة Changxin Technology في اجتماع تبادل الأداء للربع الثالث أنه استنادًا إلى الاختراق الرئيسي في بنية DRAM للقناة العمودية 4F²، أكملت منصة تكنولوجيا العمليات من الجيل السادس التحقق من العينات الهندسية. هذه هي المرة الأولى التي تعلن فيها شركة Changxin أن منصة تكنولوجيا العمليات من الجيل السادس تعتمد على بنية 4F².
,
وفقًا لممارسات الصناعة، فإن إكمال التحقق من العينات الهندسية يعني أن مؤشرات الأداء الأساسية للمنصة قد وصلت إلى توقعات التصميم على الرقائق الحقيقية، ويمكن أن تدخل مرحلة الإنتاج الضخم بعد أن يكمل العميل عملية التحقق. ذكرت شركة Changxin سابقًا في خطاب عام أنه من المتوقع إطلاق جيل جديد من منتجات DDR5 RDIMM التي تدمج تقنية 4F² المتقدمة بحلول نهاية العام في مجال الخادم، وهو أحد أصعب المجالات في التطبيق.
فيما يتعلق بالتقدم الذي تم الكشف عنه علنًا، تعد شركة Changxin في طليعة العالم في الترويج لهندسة 4F²: وقد أدرجت كل من Samsung وSK Hynix 4F² كاتجاه رئيسي أقل من مستوى 10 نانومتر، وقد أخذت Changxin زمام المبادرة في استكمال التحقق من العينات الهندسية؛ إذا سار التقدم اللاحق بسلاسة، فمن المتوقع أن تصبح شركة Changxin أول شركة في العالم تنفذ 4F².
يُعتبر 4F² بمثابة المسار الرئيسي لكسر عنق الزجاجة الانكماشي لخلايا DRAM والتحرك نحو 3D DRAM. لقد كان تطور تكنولوجيا DRAM يتمحور دائمًا حول تحسينات الكثافة، حيث يتم دمج المزيد من الوحدات على نفس حجم الرقاقة لتوزيع التكلفة لكل بت. ولكن بعد الدخول إلى مستوى 10 نانومتر، أصبح 6F² الأصلي غير مستدام ويقترب من الحد المادي. تنص خارطة طريق الأجهزة والأنظمة الدولية (IRDS) الصادرة عن معهد مهندسي الكهرباء والإلكترونيات (IEEE) بوضوح على أنه عندما يصبح قياس نصف درجة الصوت صعبًا بشكل متزايد، فإن "الانتقال من وحدات 6F² إلى 4F² هو المسار الواعد للحفاظ على اتجاهات التكلفة".
مساحة الوحدة 4F² هي 2F×2F (F هو الحد الأدنى لعرض الخط أو التباعد الذي يمكن تحقيقه بواسطة تقنية الطباعة الحجرية الضوئية)، وهو ما يمثل حوالي ثلثي وحدة 6F² السائدة. لقد أصبح خيارًا شائعًا لكبرى شركات تصنيع وحدات التخزين حول العالم. أدرجت SK Hynix منصة البوابة العمودية (VG) 4F² وذاكرة DRAM ثلاثية الأبعاد كركيزتين تقنيتين رئيسيتين. نشرت شركة Samsung ورقة 10nm 4F² في ISSCC 2026، وأكد CTO علنًا في أكتوبر من هذا العام أنها تقوم أيضًا بالتطوير؛ تعتبر الصناعة أيضًا 4F² بمثابة مرحلة ضرورية لـ 3D DRAM.
إن جوهر بنية 4F² لـ Changxin هو ترانزستور VSG (البوابة المحيطة العمودية) الذي تم تطويره ذاتيًا. يتمتع هيكل القناة المحيطة الرأسية بتحكم أقوى في البوابة، مما يمكن أن يخفف من تأثيرات القناة القصيرة والتسرب. على المستوى المعماري، يقوم هذا الحل بفصل عمليات تصنيع DRAM وCMOS، ثم يحقق الاتصال البيني عالي السرعة من خلال الترابط الهجين على مستوى الرقاقة، بحيث يمكن تحسين الأداء المنطقي وكثافة التخزين والموثوقية بشكل منفصل.
التعليقات