الملخص:
إن صناعة رقائق الذاكرة في الصين تدخل مرحلة جديدة من المنافسة. تعمل كل من شركة Changxin Memory (CXMT) وشركة Yangtze Memory Technology (YMTC)، وهما شركتان رائدتان شاركتا بعمق في أسواق مختلفة لفترة طويلة، على تسريع دخولهما إلى مجالات الأعمال الأساسية لبعضهما البعض. تتكشف المنافسة المباشرة حول السوقين الرئيسيين لـ DRAM و NAND تدريجياً.
في السنوات القليلة الماضية، حافظت الشركتان على تقسيم واضح نسبيًا للعمل في السوق. تركز ذاكرة Changxin بشكل أساسي على شرائح ذاكرة DRAM، بينما تركز ذاكرة Yangtze على منتجات ذاكرة فلاش NAND. وبينما تعمل موجة الذكاء الاصطناعي على إعادة تشكيل سلسلة التوريد العالمية لأشباه الموصلات، فقد تم كسر هذه الحدود التجارية.
وفقًا لمصادر سلسلة الصناعة، تستعد شركة Yangtze Memory لدخول سوق DRAM. ومن المتوقع أن يبدأ خط الإنتاج الجديد للشركة في المرحلة الثالثة من المشروع الإنتاج التجريبي في نهاية عام 2026، مع التركيز الأولي على منتجات الذاكرة منخفضة الطاقة LPDDR5. كمرحلة مهمة قبل الإنتاج الضخم الرسمي، يتم استخدام الإنتاج التجريبي بشكل أساسي لتصحيح أخطاء المعدات وتحسين العملية وتحسين الإنتاجية.
وفقًا للخطة الحالية، من المتوقع أن تبلغ الطاقة الإنتاجية الأولية لذاكرة DRAM لشركة Yangtze Memory حوالي 25000 رقاقة شهريًا. وعلى الرغم من أن هذا النطاق لا يزال بعيدًا عن الشركات العالمية العملاقة مثل Samsung أو SK Hynix أو Micron، إلا أنه يمثل تحولًا استراتيجيًا مهمًا لشركة Yangtze Memory، التي تركز منذ فترة طويلة على أعمال NAND.
وفي الوقت نفسه، تبحث شركة Changxin Memory أيضًا عن فرص للتوسع في مجال NAND.
قالت المصادر إن شركة Changxin Memory تخطط لمشروع جديد للبحث والتطوير والإنتاج التجريبي لـ NAND في بكين وإنشاء مؤسسات بحثية ذات صلة لتعزيز تطوير تكنولوجيا NAND. وقد بدأ بعض العملاء المحتملين بالفعل في الاتصال بشركة Changxin، بما في ذلك الشركات الناشئة التي ترغب في استخدام منتجات الذاكرة المحمولة الخاصة بها لأنظمة الذكاء الاصطناعي وحلول تخزين الكمبيوتر العملاق.
في السنوات الأخيرة، ارتفع الطلب على خوادم الذكاء الاصطناعي، الأمر الذي لم يعزز الازدهار المستمر لأسواق HBM وDRAM فحسب، بل أدى أيضًا إلى نمو الطلب على ذاكرة فلاش NAND. نظرًا لأن عددًا كبيرًا من مهام التدريب والاستدلال على نماذج الذكاء الاصطناعي تولد كميات هائلة من البيانات، فإن الطلب على SSD وأجهزة التخزين عالية السعة في مراكز البيانات مستمر في الارتفاع، مما يكسر توازن العرض والطلب في سوق التخزين التقليدي.
تظهر بيانات الصناعة أنه من أجل تلبية احتياجات سوق الذكاء الاصطناعي، قامت شركات تصنيع وحدات التخزين الكبرى في العالم بتحويل المزيد من الطاقة الإنتاجية إلى منتجات DRAM وHBM عالية الربح، مما أدى إلى تباطؤ نمو المعروض NAND وبالتالي رفع أسعار السوق. على هذه الخلفية، يبدو دخول سوق NAND أكثر جاذبية لشركة Changxin.
ومع ذلك، بالمقارنة مع Yangtze Memory، التي لديها جدول زمني أكثر وضوحًا لدخول سوق DRAM، فإن خطة NAND الخاصة بشركة Changxin لا تزال في مرحلة مبكرة. ومن غير الواضح متى سيدخل الإنتاج الضخم. تتوقع الصناعة أن يتم تشغيل خطوط الإنتاج ذات الصلة رسميًا في وقت مبكر من عام 2028 إلى عام 2029.
بالنسبة لكلتا الشركتين، بالإضافة إلى المشكلات الفنية، قد تصبح حقوق الملكية الفكرية أيضًا محورًا مهمًا للمنافسة المستقبلية.
أشار المطلعون على الصناعة إلى أنه مع دخول كلا الطرفين في مجالات القوة التقليدية لبعضهما البعض، قد يصبح تخطيط براءات الاختراع وترخيص التكنولوجيا والمنافسة على المواهب الهندسية نقاط احتكاك جديدة. خاصة في سياق التطور السريع لصناعة التخزين في الصين، تحتاج الشركتان إلى جذب عدد كبير من موظفي البحث والتطوير والإنتاج ذوي الخبرة ذات الصلة.
وفقًا للتقارير، تعمل شركة Changxin حاليًا على توظيف المواهب الهندسية والتقنية التي عملت في Yangtze Memory لتسريع عملية البحث والتطوير في NAND. ومع قيام شركة Yangtze Memory بتطوير مشروع DRAM الخاص بها، قد تشتد المنافسة بين الطرفين في سوق الموارد البشرية في المستقبل.
بالإضافة إلى ذلك، ستظل ضوابط التصدير الأمريكية تؤثر على مسار التنمية المستقبلية للشركات الصينية. بالنسبة لشركة Changxin، يعتمد مجال NAND بشكل خاص على تقنية تكديس NAND ثلاثية الأبعاد المتقدمة، ولا يزال من الصعب الحصول على المعدات والتكنولوجيا ذات الصلة. ولذلك، فإن كيفية استكمال الاختراقات التكنولوجية في ظل ظروف مقيدة ستصبح عاملاً مهمًا في إمكانية تنفيذ خطة التوسع الخاصة بها.
يعتقد المحللون أن شركة Changxin وYangtze Memory كانتا تمثلان المعسكرين الرئيسيين لذاكرة DRAM وNAND في الصين على التوالي، ولكن الآن بدأ كلا الطرفين في توسيع أعمالهما لتشمل جميع فئات التخزين، مما يعني أن صناعة التخزين في الصين تدخل مرحلة جديدة من التكامل والمنافسة.
في سياق النمو المستمر في الطلب العالمي على قوة حوسبة الذكاء الاصطناعي، أصبح كل من DRAM وNAND من الموارد الإستراتيجية الأساسية. مع تحرك شركتي التخزين الصينيتين العملاقتين تدريجيًا نحو المنافسة المباشرة، بدأت بهدوء معركة على رقائق الذاكرة المحيطة بالتكنولوجيا والقدرة الإنتاجية والموهبة والحصة السوقية.
التعليقات