الملخص:
أعلنت شركة Changxin Memory (CXMT) الصينية المصنعة لرقاقات ذاكرة DRAM أن منصة تكنولوجيا الجيل الخامس من DRAM قد دخلت رسميًا مرحلة الإنتاج الضخم. ويعتبر هذا التقدم معلمًا هامًا في تطوير صناعة التخزين في الصين، ويعني أيضًا أن شركة Changxin Storage تعمل على تضييق الفجوة التكنولوجية مع الشركات المصنعة الرائدة عالميًا مثل Samsung Electronics وSK Hynix وMicron.
تعد ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) الذاكرة العاملة الأساسية التي تتطلبها الأجهزة الإلكترونية مثل الهواتف الذكية وأجهزة الكمبيوتر الشخصية والخوادم لتشغيل التطبيقات. في السنوات الأخيرة، مع استمرار تحسن الذكاء الاصطناعي والحوسبة عالية الأداء وأداء المحطات المتنقلة، يستمر الطلب في السوق العالمية على منتجات DRAM المتقدمة في النمو.
وفقًا للمعلومات الصادرة عن شركة Changxin Memory، فإن الهدف من منصة تكنولوجيا الجيل الخامس هو إنشاء منتجات ذاكرة ذات أداء أقوى وقدرة أعلى مع تقليل استهلاك الطاقة وتكاليف الإنتاج. وذكرت الشركة أن المنصة الجديدة ستزود مصنعي المنتجات الإلكترونية الطرفية بمزيد من مصادر إمداد شرائح الذاكرة وتعزز مرونة التوريد لسلسلة الصناعة.
باعتبارها أكبر شركة مصنعة لذاكرة DRAM في الصين، تركز شركة Changxin Memory على زيادة كثافة خلايا الذاكرة هذه المرة. ومن خلال تقليص الهياكل الصغيرة المسؤولة عن تخزين البيانات وزيادة مستوى التكامل، يمكن للمنصة الجديدة استيعاب المزيد من خلايا الذاكرة في نفس المنطقة وزيادة عدد الرقائق التي يمكن قطعها من رقاقة واحدة، وبالتالي تحسين كفاءة الإنتاج الإجمالية.
كشفت شركة Changxin Storage أن المنصة الجديدة خفضت المسافة الهيكلية الرئيسية لمصفوفة التخزين إلى 11.95 نانومتر، وهو ما يعادل حوالي 12 جزءًا من المليار من المتر. ولتحقيق هذا الهدف، تستخدم الشركة عملية نقش رباعية، تتخطى قيود العملية التقليدية من خلال تنفيذ خطوات تصنيع متعددة بشكل متكرر لتشكيل هياكل دوائر أكثر دقة.
خلال مؤتمر التصنيع العالمي 2026 الذي عقد في مدينة خفي بمقاطعة آنهوي، قال لوه شياو دونغ، رئيس مركز سوق تخزين تشانغشين، إن قدرات المعالجة للشركة وصلت إلى نفس مستوى منصات التخزين ذات الإنتاج الضخم الأكثر تقدمًا في العالم.
مع الإنتاج الضخم للمنصة الجديدة، أصدرت شركة Changxin Memory أيضًا شريحتي ذاكرة متنقلة LPDDR5X بسعة 24 جيجا بايت استنادًا إلى منصة الجيل الخامس. LPDDR5X هو معيار DRAM منخفض الطاقة يستخدم بشكل رئيسي في الأجهزة المحمولة مثل الهواتف الذكية والأجهزة اللوحية.
تزيد قدرة المنتج الجديد بنسبة 50% عن قدرة الجيل السابق من المنتجات المماثلة، وقد دخل مرحلة الإنتاج الضخم. وفقًا لاحتياجات المنتج النهائي المختلفة، يوفر المنتجان أشكال تغليف مختلفة لتكون مناسبة لتصميم الهواتف الذكية والأجهزة الإلكترونية المحمولة المختلفة.
بالإضافة إلى زيادة قدرة شريحة واحدة، تعمل المنصة الجديدة أيضًا على تحسين كفاءة التصنيع بشكل كبير. ذكرت شركة Changxin Memory أنه عند استخدام منتجات 8 جيجا بايت كمعيار للمقارنة، فإن عدد الرقائق التي يمكن لمنصة الجيل الخامس إنتاجها لكل رقاقة أعلى بنسبة 50٪ على الأقل من منصة الجيل الرابع.
لا يمثل هذا المؤشر الناتج النهائي، ولكنه يشير إلى العدد الإجمالي للرقائق التي يمكن نظريًا قطعها من رقاقة واحدة قبل إزالة الرقائق المعيبة. ومع ذلك، بالنسبة لصناعة الذاكرة، لا يزال تحسين استخدام الرقائق وسيلة مهمة لتقليل التكاليف وتعزيز القدرة التنافسية.
كشفت الشركة أيضًا عن استخدام تكنولوجيا المحاكاة الحاسوبية على نطاق واسع في عملية تطوير منصة الجيل الخامس، وتم تنفيذ التطوير المشترك مع الشركات المصنعة لمعدات أشباه الموصلات الصينية المحلية في روابط التصنيع الرئيسية. وقد ساعد التعاون ذو الصلة شركة Changxin Storage على إنشاء نظام سلسلة توريد محلي أكثر اكتمالًا تدريجيًا وتقليل اعتمادها على التكنولوجيا الخارجية.
يأتي هذا التطور التكنولوجي أيضًا في وقت تتزايد فيه حدة المنافسة في صناعة التخزين العالمية. مع التوسع السريع في صناعة الذكاء الاصطناعي، انفجر الطلب على الذاكرة عالية الأداء، وزادت شركات تصنيع وحدات التخزين العالمية الكبرى من الاستثمار في منتجات DRAM وHBM المتقدمة.
بالنسبة للصين، فإن الدخول إلى الإنتاج الضخم لمنصة الجيل الخامس من شركة Changxin Storage لا يعني فقط تحسينًا إضافيًا في القدرات التقنية، ولكنه يمثل أيضًا أن صناعة التخزين المحلية مستمرة في التحرك نحو عقد معالجة أكثر تقدمًا. في المستقبل، مع دخول الجيل الجديد من منتجات التخزين المحمولة إلى السوق تدريجيًا، من المتوقع أن تشتد المنافسة بين شركة Changxin Storage والشركات المصنعة الدولية الرائدة.
على خلفية المشهد المتغير باستمرار لصناعة التخزين العالمية، يعتبر الإنتاج الضخم الرسمي لمنصة DRAM من الجيل الخامس عقدة مهمة أخرى في تطوير ذاكرة Changxin. كما أنه يضيف نفوذًا جديدًا لصناعة أشباه الموصلات في الصين لتحسين قدرات التوريد المستقلة.
مقالات ذات صلة:
يشاع أن شركة Changxin Storage تستعد لدخول سوق ذاكرة فلاش NAND
التعليقات