أعلنت شركة Kioxia Corporation مؤخرًا أنها بدأت في شحن عينات من أجهزة ذاكرة الخلايا ثلاثية الطبقات (TLC) بسعة 1 تيرابايت (تيرابت) باستخدام تقنية ذاكرة فلاش BiCS FLASH 3D من الجيل العاشر للعملاء. سيتم دمج هذه الدفعة من المنتجات الجديدة بشكل أساسي في محركات الأقراص ذات الحالة الصلبة (SSD) على مستوى المؤسسات ومراكز البيانات من KIOXIA، بهدف تعزيز مجموعة منتجاتها بشكل أكبر لتلبية الاحتياجات المتزايدة والعاجلة للأداء العالي والسعة الكبيرة والاستهلاك المنخفض للطاقة في مجال تخزين الذكاء الاصطناعي (AI).
يُذكر أنه سيتم تصنيع هذه الابتكارات محليًا باستخدام أحدث المعدات في مصنع كيتاكامي Fab2 في محافظة إيواتي باليابان.
فيما يتعلق بالهندسة الفنية، تستمر تقنية الجيل العاشر في استخدام تقنية "CMOS Direct Bonding to Wafer Array (CBA)" وتقنية "Equial Pitch Select Gate Drain (OPS)" التي تم تقديمها منذ الجيل الثامن من BiCS FLASH. بفضل التكامل المبتكر لهاتين التقنيتين الأساسيتين، حقق الجيل الجديد من ذاكرة الفلاش سرعة واجهة NAND تصل إلى 4.8 جيجابت/ثانية، وهي زيادة كبيرة بنسبة 33% مقارنة بمنتجات الجيل الثامن. وفي الوقت نفسه، زادت كثافة البتات الخاصة بها بشكل ملحوظ بنسبة 59% من خلال تحقيق تكديس رأسي مذهل مكون من 332 طبقة وتحسين الكثافة الجانبية. وفيما يتعلق بكفاءة استخدام الطاقة، تم أيضًا تحسين كفاءة استخدام الطاقة في الكتابة والقراءة للتكنولوجيا الجديدة بنسبة 18% و30% على التوالي، مما سيساعد بشكل فعال مراكز البيانات الحديثة والبنية التحتية على مستوى المؤسسات على تقليل الاستهلاك الإجمالي للطاقة وتكاليف التشغيل.
حاليًا، تعمل KIOXIA في الوقت نفسه على الترويج لخطين إنتاج متميزين بتوجيه من "إستراتيجية المحور المزدوج" الفريدة الخاصة بها: الأول هو حل الجيل التاسع، والذي يمكن أن يوفر أداءً تنافسيًا وممتازًا للغاية مع الحفاظ على تكلفة استثمار منخفضة نسبيًا؛ والثاني هو تقنية الجيل العاشر التي تم إطلاقها هذه المرة، والتي تحقق توسعًا كبيرًا جدًا في السعة وأداءً ممتازًا من خلال تقنية تكديس الطبقات الأكثر تقدمًا.