ووفقا للتقارير،وتخطط سامسونج لإعادة إطلاق تقنية التخزين Z-NAND الخاصة بها مع تحسين الأداء المستهدف بما يصل إلى 15 مرة مقارنة بذاكرة فلاش NAND التقليدية مع تقليل استهلاك الطاقة بنسبة 80%.بالإضافة إلى ذلك، طورت سامسونج أيضًا تقنية جديدة تسمى "الوصول المباشر للتخزين الذي بدأته وحدة معالجة الرسومات (GIDS)" والذي يسمح لوحدة معالجة الرسومات بالوصول مباشرة إلى أجهزة تخزين Z-NAND، على غرار واجهة برمجة تطبيقات DirectStorage من Microsoft.
تم إطلاق تقنية Z-NAND من سامسونج في الأصل في منتصف عام 2010 بهدف التنافس مع تقنية التخزين 3D XPoint Optane من Intel. يقدم كلاهما نوعًا جديدًا من وحدات تخزين الحالة الصلبة مع أداء قريب من DRAM وزمن استجابة النظام أقل بكثير من محركات أقراص SSD التقليدية.
على عكس 3D XPoint Optane من Intel، فإن الجيل الأول من Z-NAND من سامسونج هو في الأساس نسخة سريعة من NAND SLC SSD.
وهو يعتمد على تصميم V-NAND محسّن، ويعتمد هيكلًا مكونًا من 48 طبقة، ويعمل في وضع خلية أحادية الطبقة (SLC). ويتمثل تحسينها الرئيسي في تقليل حجم الصفحة إلى 2-4 كيلو بايت، وبالتالي تحقيق سرعات قراءة وكتابة أسرع للبيانات وزمن وصول أقل للنظام.
في ذلك الوقت، كانت محركات الأقراص المستندة إلى Intel Optane وSamsung Z-NAND أسرع بمقدار 6 إلى 10 مرات من محركات أقراص SSD التقليدية، وإذا كان الجيل التالي من Z-NAND من سامسونج يرقى إلى مستوى التوقعات، فيمكن أن يؤدي أداء أفضل بما يصل إلى 15 مرة من محركات أقراص NVMe SSD الحالية.
