الملخص:
باعتبارها أكبر شركة مصنعة لأشباه الموصلات وأكثرها تقدمًا في العالم، ظل تقدم TSMC في انكماش SRAM راكدًا لسنوات عديدة. منذ الإنتاج الضخم لعملية N5 5nm في عام 2020، ظلت مساحة خلايا الذاكرة 6T SRAM عند حوالي 0.021 ميكرون مربع. تستمر كثافة الترانزستور للمكونات المنطقية في الزيادة، لكن الذاكرة لم تواكب نفس الوتيرة. مع وصول العقدة A14، والتي من المقرر أن تدخل حيز الإنتاج في عام 2028، من المتوقع أن يتم كسر هذا الوضع:
من المتوقع أن تتقلص وحدة الذاكرة 6T SRAM من TSMC إلى 0.017 ميكرون مربع، أي بانخفاض قدره 19% تقريبًا. وهذا يعني أن TSMC حققت طفرة في التقنيات ذات الصلة وتستعد لدفعها إلى الإنتاج الضخم بمساعدة عقدة A14.
تجري TSMC حاليًا إنتاجًا تجريبيًا لتقييم جدوى هذه العقدة، مع السماح للعملاء باختبار الأداء الفعلي لتصميماتهم في بيئة إنتاج TSMC. التقدم المحرز في العقدة A14 متفائل للغاية. نظرًا للتقدم المبكر السلس، فقد تم تقديم الجدول الزمني. إذا استمر الإنتاج التجريبي بسلاسة ولم تحدث مشكلات كبيرة في الإنتاج أو الإنتاج، فسيبدأ الإنتاج التجريبي الخطير في عام 2027، يليه الإنتاج الضخم في عام 2028. وإذا لم تكن هناك عقبات واضحة في العام المقبل، فقد تقدم TSMC جدول الإنتاج الضخم لبضعة أشهر.
مقارنة بالإنتاج الضخم الذي تم الإعلان عنه مؤخرًا لعقدة N2 2nm، يمكن لعملية A14 أن توفر ما يصل إلى 15% من تحسين السرعة بنفس استهلاك الطاقة، أو تحقيق ما يصل إلى 30% من استهلاك الطاقة بنفس التردد. تدعي TSMC أيضًا أن الكثافة المنطقية زادت بنسبة 20% وكثافة SRAM زادت بنسبة 19%. يعد هذا التقدم مهمًا: يمكن الآن توسيع نطاق الدوائر المنطقية والذكريات بشكل فعال على مدى أجيال أكبر بكثير، في تناقض صارخ مع عصر أقل من 10 نانومتر. سيتم طرح عقدة A14 لأول مرة في المصنع الرئيسي لشركة TSMC في تايوان، حيث تخطط الشركة لبدء الإنتاج الضخم في عام 2028.
التعليقات