الملخص:
خلال معرض SEMICON تايوان 2026 الذي أقيم في تايبيه، أعلنت سامسونج عن أحدث خارطة طريق لمنتجات الذاكرة الخاصة بها، مع التركيز على HBM5 وبنية zHBM الجديدة. وقالت سامسونج إن HBM5 يهدف إلى تحقيق ما يقرب من ضعف الأداء الإجمالي مقارنةً بـ HBM4E، مع زيادة أداء استهلاك طاقة الوحدة بنسبة 20% وتقليل المقاومة الحرارية بنسبة 20%.
ستستخدم HBM5 عملية 2 نانومتر التي طورتها سامسونج ذاتيًا لتصنيع القالب الأساسي، لتحل محل عملية 4 نانومتر المستخدمة في HBM4 وHBM4E. كما سيتم توسيع عدد طبقات تكديس المنتج إلى 12 و16 و20 طبقة، ومن المتوقع أن يدخل الإنتاج الضخم حوالي عام 2028.
كما أكدت سامسونج مؤخرًا في مواد المعاينة الخاصة بمؤتمر Hot Chips 2026 أن الشركة تستعد لإطلاق HBM4E، بسرعة مستهدفة تبلغ 16 جيجابت في الثانية لكل دبوس. تبلغ سرعة HBM4 التي يتم شحنها حاليًا بواسطة Samsung 11.7 جيجابت في الثانية لكل دبوس.
مقارنة بتصميم HBM التقليدي الذي يضع الذاكرة بجوار المسرع، تتبنى zHBM طريقة تكامل رأسي أكثر جذرية، حيث تقوم بتكديس الذاكرة مباشرة أعلى المعالج، وبالتالي تقصير مسار نقل البيانات وتحسين عرض النطاق الترددي وكفاءة الطاقة. وتتوقع سامسونج أن يصل الأداء الأولي لـ zHBM إلى 8 أضعاف أداء HBM4E، وسيصل أداء استهلاك الطاقة لوحدتها إلى 3 مرات، مع تقليل المقاومة الحرارية بنسبة 75% إلى 90%.
عرضت سامسونج أول منتجات مفهوم zHBM في الصناعة في FMS 2026، ومن المتوقع أن يتم إطلاق هذه البنية الجديدة بعد عام 2029. ويبدو أن إعادة تصميم بنية HBM قد أصبحت اتجاه تطوير الصناعة. كما أعلنت NVIDIA مؤخرًا عن حل ذاكرة NVHBM مخصص، والذي ينقل وحدة التحكم في الذاكرة من قالب الحوسبة إلى قالب HBM الأساسي.
في مجال NAND، تعمل سامسونج على تطوير zNAND-O لتسليم العينات في عام 2028. ويهدف المنتج إلى تحقيق 10 أضعاف كثافة البت المكافئة لذاكرة DRAM مع توفير ما يقرب من 7 أضعاف عرض النطاق الترددي للقراءة مع الحفاظ على كفاءة الطاقة لـ NAND التقليدية.
وتتزايد حدة المنافسة التي تواجهها سامسونج أيضًا. بالإضافة إلى SK Hynix، طرحت شركة تصنيع وحدات التخزين الصينية Yangtze Memory مؤخرًا أهدافًا طموحة، وتخطط لتجاوز Samsung وSK Hynix بحلول نهاية عام 2027.
في قمة Memory Executive Summit التي عقدت قبل الحدث، قدمت سامسونج أيضًا إطار عمل لتطوير الذاكرة يسمى "C.U.B.E"، والذي يرمز إلى السعة والاستخدام وعرض النطاق الترددي والكفاءة. تتضمن الإستراتيجية زيادة السعة دون زيادة أثر ثنائي الفينيل متعدد الكلور من خلال توسيع سعة الذاكرة رأسيًا؛ واستخدام بنية ثلاثية الأبعاد محسنة لتقليل زمن الوصول؛ واستخدام قنوات عمودية عالية السرعة لتحل محل مسارات البيانات الأفقية التقليدية؛ وتحسين التحكم في استهلاك الطاقة وإدارة تبديد الحرارة من مستوى البت.
التعليقات