قد لا تتمكن سامسونج من إنتاج شرائح HBM بكميات كبيرة باستخدام تقنية الربط الهجين حتى عام 2029، عندما ستتم مطابقتها مع الجيل التالي من وحدة معالجة الرسوميات Feynman AI من Nvidia. الترابط الهجين هو الجيل القادم من تكنولوجيا تصنيع HBM. فهو يزيل النتوءات الصغيرة بين طبقات DRAM، ويقلل المساحة بين الطبقات، ويوفر أداءً أفضل. ويعتبر الاتجاه المستقبلي لـ HBM. بالمقارنة مع التوصيلات التقليدية ذات النتوءات الدقيقة، فإن الترابط الهجين يمكن أن يجعل طبقات الرقاقة أكثر التصاقًا ببعضها البعض، مما يؤدي إلى نقل أسرع للبيانات واستهلاك أقل للطاقة.
تقوم سامسونج بشراء 50 آلة ربط هجينة من شركة BE Semiconductor في هولندا، وتخطط لبدء التثبيت في نهاية هذا العام والإنتاج الضخم في 2029-2030.
وفي الوقت نفسه، تعمل سامسونج أيضًا على تطوير شرائح HBM مخصصة، ودمج الرقائق المنطقية مباشرة في HBM، واستخدام بنية النظام ثلاثي الأبعاد (SiP) لتحسين الأداء بشكل أكبر.
من المتوقع إطلاق وحدة معالجة الرسوميات Feynman AI من Nvidia بعد Rubin Ultra وستعتمد على التراص ثلاثي الأبعاد وHBM المخصص، بالتزامن مع توقيت الإنتاج الضخم للترابط الهجين من سامسونج.
إن الإنتاج الضخم للترابط الهجين من سامسونج متأخر عن المتوقع، مما قد يؤثر على تقدمها في اللحاق بـ SK Hynix في سوق HBM، لكن توقيت المطابقة مع وحدة معالجة الرسومات الجديدة من Nvidia في عام 2029 يوضح أن سامسونج تستهدف سوق الجيل التالي.
هل تعتقد أن تقنية الربط الهجين من سامسونج يمكنها اللحاق بمزايا HBM من SK Hynix؟
