نجحت شركة SK hynix في تطوير أول ذاكرة DRAM متنقلة فعالة لتبديد الحرارة في الصناعة باستخدام مادة "High-K EMC" وبدأت في توريدها للعملاء. يعد EMC (Epoxy Moulding Compound) مادة تعبئة رئيسية في العملية الخلفية لأشباه الموصلات. يتم استخدامه لحماية الشريحة من التأثيرات البيئية الخارجية مثل الرطوبة والحرارة والتأثير والكهرباء الساكنة، ولتبديد الحرارة.
ويشير ما يسمى بـ High-K EMC إلى تحسين التوصيل الحراري الإجمالي (الموصلية الحرارية) عن طريق استخدام مواد ذات موصلية حرارية أعلى (قيمة K)، وبالتالي تعزيز أداء تبديد الحرارة بشكل كبير.
قال SK Hynix أنه نظرًا لأن الذكاء الاصطناعي الموجود على الجهاز (On-Device AI) يزيد من الطلب على معالجة البيانات عالية السرعة، فقد أصبحت مشكلات التدفئة بمثابة عنق الزجاجة الرئيسي الذي يؤثر على أداء الهاتف الذكي. يعالج منتج DRAM الجديد بشكل فعال تحديات تبديد الحرارة للنماذج الرائدة عالية الأداء وقد حظي بتقدير كبير من قبل العملاء في جميع أنحاء العالم.
في الوقت الحاضر، تعتمد معظم الهواتف المحمولة الرئيسية السائدة بنية التعبئة والتغليف PoP (حزمة على حزمة)، أي أن DRAM مكدسة فوق معالج الهاتف المحمول. على الرغم من أن هذا الهيكل مفيد في توفير المساحة وتحسين كفاءة نقل البيانات، إلا أنه يتسبب أيضًا في تراكم الحرارة الناتجة عن المعالج بسهولة داخل ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM)، مما يؤثر على أداء الجهاز بأكمله.
ومن أجل حل مشكلة تبديد الحرارة هذه، ركزت SK Hynix على تحسين مواد EMC المستخدمة في عبوات DRAM. من خلال دمج الألومينا (الألومينا) في ثاني أكسيد السيليكون التقليدي (السيليكا)،تم تطوير مواد جديدة عالية الجودة EMC. تصل موصليتها الحرارية إلى 3.5 مرة مقارنة بالمواد التقليدية، مما يمكن أن يقلل المقاومة الحرارية في المسار الحراري العمودي بنسبة 47%.
لا يساعد أداء تبديد الحرارة المحسن في الحفاظ على تشغيل عالي الأداء للهواتف الذكية فحسب، بل يعمل أيضًا على إطالة عمر البطارية وعمر الجهاز عن طريق تقليل استهلاك الطاقة. وتتوقع الشركة أن يجذب المنتج اهتمامًا واسع النطاق ويحفز الطلب القوي من صناعة الأجهزة المحمولة.
وقال لي جيوجي، رئيس تطوير المنتجات ونائب رئيس شركة SK Hynix PKG: "يعمل هذا المنتج على حل المشكلات التي يواجهها مستخدمو الهواتف الذكية المتطورة بشكل فعال مع تحسين الأداء، وله أهمية سوقية مهمة. وسنواصل الاعتماد على ابتكار تكنولوجيا المواد لتعزيز ريادتنا التكنولوجية في مجال الجيل الجديد من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية المتنقلة."
