الملخص:
أعلنت شركة MemSilicon عن الانتهاء من عملية تسجيل الجيل الأول من شريحة RRAM عالية الكثافة وذات السعة الكبيرة "MountTai 2026" استنادًا إلى مسار تقنية 1TnR.
يُذكر أن "Taishan No. 1" يعد علامة فارقة في تقدم MemSilicon لتقنية شرائح الذاكرة الجديدة ذات الكثافة العالية والسعة الكبيرة 1TnR بدءًا من الأبحاث المبكرة وحتى تسويق الرقائق على مستوى جيجابت. يعمل هذا المسار الفني على زيادة سعة التخزين لكل وحدة مساحة من خلال مشاركة الترانزستورات المحددة مع خلايا ذاكرة تبديل مقاومة متعددة، ويستخدم طريقة تكامل خلفية متوافقة تمامًا مع منصة CMOS لتحقيق الكثافة والسعة والتكلفة.
تستخدم الشريحة منصة معالجة CMOS مقاس 28 نانومتر وبنية وحدة 1T4R، مع سعة شريحة واحدة تبلغ 1 جيجابت، وكثافة تبلغ 30 ميجابايت/مم²، وتأخير وصول أقل من 20 نانو ثانية، ودائرة متكاملة لتصحيح أخطاء الأجهزة على الشريحة. إنه يحقق اختراقًا تعاونيًا بين السعة الكبيرة والكثافة العالية والقراءة عالية السرعة، ويوفر حلاً تنافسيًا دوليًا لتطبيقات التخزين غير المتطايرة الجديدة ذات الكثافة العالية والسعة الكبيرة على الرقاقة.
في الوقت الحاضر، أكملت "تايشان رقم 1" عملية التسجيل وهي تعمل على المضي قدمًا في عملية التحقق.
يعتمد "Taishan No. 1" بنية 1T4R، أي ترانزستور اختيار واحد يتوافق مع أربع خلايا ذاكرة تبديل مقاومة. لكن مشاركة الترانزستورات لا تعني أن كثافة وأداء عدد خلايا الذاكرة يزداد بشكل متناسب. تتطلب المسارات الحالية غير المستهدفة بين خلايا الذاكرة المتعددة، وتداخل القراءة والكتابة، والموثوقية في ظل ظروف تشغيل مختلفة، تحسينًا مشتركًا للأجهزة والعمليات وتصميمات الدوائر.
التعليقات