أصدرت إنتل براءة اختراع جديدة لذاكرة XBM الخاصة بها، والتي تعتبر بديلاً لـ HBM4 ويمكنها توفير نطاق ترددي أعلى. في السنوات القليلة الماضية، كان HBM هو التكوين القياسي لمسرعات الذكاء الاصطناعي، ولكن الآن تحولت بعض المنتجات إلى LPDDR لتحقيق التوازن بين نقص العرض والسعر والطاقة.
على الرغم من أن LPDDR أكثر كفاءة ولديه سعة أكبر، إلا أنه يعاني أيضًا من مشكلة عدم كفاية النطاق الترددي. منذ بعض الوقت، اقترحت شركة كوالكوم بنية HBC، التي تجمع بين الحوسبة وعرض النطاق الترددي للذاكرة عالية السرعة وتستخدم حل شرائح مكدسة ثلاثية الأبعاد. بالمقارنة مع HBM، يوفر HBC معالجة أسرع وأكثر كفاءة وأكثر قابلية للتطوير. يتم توصيل مكدس HBC بـ SoC من خلال ركيزة عضوية ثنائية الأبعاد. الجزء السفلي من حزمة HBC عبارة عن وحدة تسريع الذاكرة القريبة، ويضاف إليها حزمة LPDDR DRAM باستخدام تقنية السيليكون عبر (TSV).
في بداية هذا العام، أعلنت إنتل أنها ستتعاون مع شركة Power Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. (PSMC) وشركة SAIMEMORY التابعة لشركة SoftBank لتطوير تقنية تخزين جديدة تسمى "Z-Angle Memory (ZAM)"، لكنها لم تدخل بعد مرحلة التسويق. يبدو أن XBM هو حل تنافسي جديد على مستوى HBM تقترحه شركة Intel ومن المتوقع أن يتم تسويقه في عام 2030 تقريبًا.
وفقًا لوصف Intel، تستخدم XBM تصميم ترانزستور خلفي، بما في ذلك ركيزة التعبئة والتغليف وشريحة أساسية اختيارية وشريحة ذاكرة مكدسة. تستخدم كل شريحة ذاكرة في المكدس بنية 1T1C (ترانزستور واحد ومكثف واحد) DRAM، ويتم نقل الترانزستورات إلى BEOL (النهاية الخلفية للخط، طبقة التوصيل المعدني الخلفية) لتحسين استخدام المنطقة وكثافة TSV (من خلال السيليكون). بالمقارنة مع DRAM الترانزستور الأمامي التقليدي، فإنه يتمتع بتحسن كبير في عرض النطاق الترددي.
ستستخدم XBM حل الذاكرة متعددة الدفعات (ذاكرة متعددة الدفعات) للاتصال بوحدة الإدخال/الإخراج UCIe بمعدل 32 GT/s، وستكون التكلفة أقل من HBM4. تتراوح سعة كل شريحة XBM بين 0.5 غيغابايت و5 غيغابايت، ويظل حجم الحزمة كما هو في HBM 4. وهناك ميزة أخرى لـ XBM وهي أنها يمكن أن تدعم خيارات التعبئة المتعددة، بما في ذلك MoP، مما يعني أنها يمكن أن توفر عرض نطاق ترددي أعلى وسعة أكبر في حل عامل شكل أصغر.
انطلاقًا من تحديد المواقع المستهدفة ومؤشرات الأداء والجدول الزمني للتسويق، تتكهن الصناعة بأن XBM ترتبط ارتباطًا وثيقًا بـ ZAM.