تدرس شركة آبل الشراكة مع شركتي أشباه الموصلات الصينية CXMT وYMTC لتوفير شرائح الذاكرة والتخزين لسلسلة iPhone 18 القادمة وغيرها من المنتجات بما في ذلك أجهزة MacBooks وأجهزة Mac المكتبية.
حاليًا، تعتمد شركة Apple بشكل أساسي على موردي وحدات التخزين والذاكرة بما في ذلك Kioxia وSamsung وSK Hynix. ومع ذلك، في سياق ضيق المعروض في الصناعة والزيادات الحادة في الأسعار، قامت هذه الشركات المصنعة برفع الأسعار، مما وضع شركة Apple تحت ضغط للضغط على الأرباح مع الحفاظ على تسعير المنتج الرسمي (MSRP). من أجل نشر مخاطر العرض وتخفيف ضغط التكلفة، يقال إن شركة Apple تقوم بتقييم إدراج ذاكرة الوصول العشوائي DRAM من شركة Changxin وذاكرة فلاش NAND من شركة Yangtze Memory في نظام التوريد لتقليل الاعتماد على الشركات المصنعة اليابانية والكورية.
ويرتبط هذا التطور ارتباطًا وثيقًا بأحدث التغييرات في البيئة التنظيمية الأمريكية: حيث ورد أن مكتب الصناعة والأمن التابع لوزارة التجارة الأمريكية (BIS) قام مؤخرًا بإزالة Changxin Storage وYangtze Storage من قائمة الشركات الصينية المقيدة، مما أدى إلى إزالة العقبات السياسية المهمة أمام شركة Apple لتبني منتجات هاتين الشركتين. بالنسبة لشركة Apple، يعني هذا أن لديها الفرصة لتقديم منتجات التخزين والذاكرة بشكل أكثر مرونة من الشركات المصنعة لأشباه الموصلات الصينية المحلية إلى سلسلة التوريد العالمية دون انتهاك لوائح مراقبة الصادرات الأمريكية.
فيما يتعلق بالذاكرة، أنتجت شركة Changxin Memory على نطاق واسع مجموعة متنوعة من المنتجات بما في ذلك LPDDR5X وDDR5، وتتوافق مواصفاتها بشكل كبير مع خطوط إنتاج Apple الحالية. تستخدم سلسلة iPhone وأجهزة Mac من Apple المجهزة بسلسلة M SoC المطورة ذاتيًا حاليًا LPDDR5X بشكل أساسي كذاكرة نظام. لذلك، من المتوقع أن تغطي شرائح LPDDR5X بسعة 12 جيجا بايت و16 جيجا بايت المقدمة من شركة Changxin احتياجات السعة السائدة لخطوط إنتاج الهواتف المحمولة وأجهزة الكمبيوتر من Apple Intelligence. وهذا يوفر أساسًا تقنيًا واقعيًا وممكنًا لشركة Apple لإدخال موردي DRAM الصينيين في الجيل التالي من الأجهزة المحمولة وأجهزة الكمبيوتر.
فيما يتعلق بالتخزين، من المتوقع أن تصبح ذاكرة Yangtze قوة إضافية مهمة في سلسلة توريد ذاكرة الفلاش من Apple. وفقًا لتحليل التفكيك الذي أجرته TechInsights، تمتلك شركة Yangtze Memory شرائح ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد من الجيل الخامس تم إنتاجها بكميات كبيرة، مع إجمالي عدد الطبقات المكدسة التي تصل إلى 294، منها 232 طبقة تخزين فعالة. ومع كثافة بت تقترب من 19.8 جيجابايت لكل مليمتر مربع، تقترب كفاءة مساحة هذا الجيل من المستويات التي تحققها حاليًا الشركات المصنعة الرائدة لـ NAND في العالم. وهذا يعني أنه دون التضحية بكثافة التخزين والأداء، يمكن دمج رقائق Yangtze Memory بسلاسة نسبيًا في سلسلة التوريد الطرفية المتطورة الحالية دون "تخفيضات" كبيرة في المؤشرات.
إذا اعتمدت شركة أبل في نهاية المطاف كلاً من DRAM من شركة Changxin Memory و NAND من شركة Yangtze Memory، فإن مشهد التخزين والذاكرة في سوق الإلكترونيات الاستهلاكية العالمية المتطورة قد يخضع لدرجة معينة من إعادة التنظيم. بالنسبة لشركة Apple، لن يساعد هذا فقط في تخفيف ضغط التكلفة الحالي الناجم عن النقص العالمي في الذاكرة والذاكرة المحمولة، ولكنه سيوفر أيضًا مجالًا أكبر للمناورة فيما يتعلق بأمن الإمدادات ومساحة المساومة وتوزيع المخاطر الجيوسياسية. بالنسبة لمصنعي وحدات التخزين اليابانية والكورية وبعض الأمريكيين الحاليين، فإن هذا يعني أن هيمنتهم المستقبلية على السوق في الهواتف الذكية وأجهزة الكمبيوتر المتطورة قد تواجه المزيد من المنافسة المباشرة من الشركات المصنعة الصينية.