في الوقت الذي تستمر فيه أسعار الذاكرة العالمية في الارتفاع،أدت الأخبار المتعلقة باستراتيجية السعر المنخفض من شركة Changxin Memory الصينية العملاقة في مجال DRAM إلى إغراق سوق الذاكرة المضطربة بالفعل في معركة شرسة بين الطويل والقصير.ووفقا للتقارير،أطلقت شركة Changxin Memory "سعرًا باهظًا" قدره 138 دولارًا أمريكيًا لوحدات الذاكرة DDR4-3200 ECC بسعة 32 جيجابايت. هذا السعر لا يمثل سوى حوالي ثلث سعر السوق الدولي الحالي الذي يتراوح بين 300 إلى 400 دولار أمريكي، مما تسبب على الفور في صدمة في السوق العالمية.
أثارت هذه الخطوة منخفضة السعر حالة من الذعر في السوق بشكل مباشر، وأثارت قلق المستثمرين من وقوع صناعة الذاكرة مرة أخرى في منافسة المحيط الأحمر. وتعرض قطاع الذاكرة، الذي انتعش في وقت مبكر من التداول يوم الثالث، للضغط على الفور.
من بينهم، تحمل الثنائي DRAM Winbond و Nanya العبء الأكبر، حيث انخفضا بنسبة 9.05% و5.61% على التوالي في ذلك اليوم. بالإضافة إلى ذلك، انخفضت أسهم مثل Phison وPingan وJinghaoke وSupreme وADATA وApacer وHuadong بأكثر من نصف الحد الأقصى، مما خلق جوًا قويًا من الذعر في القطاع.
وراء هذا التقلب في السوق هناك تغييرات هيكلية في سوق الذاكرة العالمية. مع النمو الهائل للطلب على حوسبة الذكاء الاصطناعي، دخل سوق الذاكرة العالمي في دورة فائقة جديدة. وارتفعت أسعار المنتجات ذات الصلة بشكل حاد بحلول نهاية عام 2025، حتى أنها عطلت تخطيط إنتاج العديد من المنتجات الإلكترونية في عام 2026.
على هذه الخلفية، تعمل شركات التخزين الصينية الكبرى مثل Changxin Storage وYangtze River Storage على تسريع تخطيطها واغتنام فرص السوق.
قررت شركة Changxin Storage، التي كانت عدوانية بشكل خاص في توسيع الإنتاج، تسريع عملية التوسع في مصنعها في شنغهاي. ووفقا للخطة، سيكون حجم المصنع 2 إلى 3 أضعاف حجم المقر الرئيسي في خفي، وسيركز بشكل أساسي على إنتاج منتجات DRAM اللازمة للخوادم وأجهزة الكمبيوتر الشخصية وإلكترونيات السيارات.
وفقًا للجدول الزمني، من المتوقع أن يبدأ تركيب المعدات في مصنع شنغهاي في النصف الثاني من عام 2026 ويدخل رسميًا مرحلة الإنتاج في عام 2027. وبعد دخول الإنتاج حيز الإنتاج، سيعزز ذلك بشكل كبير القدرة التوريدية لذاكرة Changxin في سوق DRAM العالمي.
تبذل شركة Yangtze Memory الصينية العملاقة NAND Flash أيضًا جهودًا في وقت واحد. من المتوقع أن يبدأ مشروع المرحلة الثالثة في ووهان، والذي كان من المقرر أصلاً أن يصل إلى هدف الإنتاج الضخم في عام 2027، في النصف الثاني من عام 2026. والأمر الأكثر جديرًا بالملاحظة هو أن شركة Yangtze Memory تخطط لتعديل استراتيجية التطوير الخاصة بها وتحويل حوالي 50٪ من القدرة الإنتاجية للمصنع الجديد إلى إنتاج منتجات DRAM، وفتح نموذج جديد رسميًا للتطوير الموازي في المجالات المزدوجة NAND وDRAM، ومواصلة تحسين مصفوفة المنتجات الخاصة بصناعة التخزين في الصين.
وفيما يتعلق بصعود شركات تصنيع وحدات التخزين الصينية والتغيرات في هيكل السوق، حلل غاري هوانغ، رئيس قسم آسيا في مجموعة Yole، أن إمدادات الذاكرة العالمية الحالية لا تزال محدودة، وأن بيئة السوق هذه قد خلقت فرص تطوير مواتية للاعبين الناشئين.
وإلى جانب الدعم السياسي الذي تقدمه الصين، فإن هذا يدفع المزيد من العملاء إلى البحث بنشاط عن مصادر بديلة للإمداد. ولا يؤدي هذا إلى جلب زخم نمو جديد للشركات الصينية مثل شركة Changxin Memory وYangtze Memory فحسب، بل سيؤثر أيضًا بشكل عميق على المشهد التنافسي لسوق الذاكرة العالمية.
